[发明专利]曝光方法和光刻装置

说明书

本公开涉及曝光方法和光刻装置。提供衬底(100)，在所述衬底(100)的主表面(110)上提供光敏层(200)。所述衬底(100)包括基底部分(101)和台面部分(102)。在基底部分(101)中，主表面(110)处于基底平面(105)中。台面部分(102)从基底平面(105)突出。辐射束(806)扫描光敏层(200)。由辐射束(806)施加到光敏层(200)的部分区域(230)的局部剂量包括基本剂量分量和修正剂量分量。所述修正剂量分量是所述部分区域(230)与过渡部(106)之间的距离的函数，并且至少部分地补偿由台面部分(102)与基底部分(101)之间的高度差引起的散焦对所述部分区域(230)中的关键尺寸的影响，其中所述过渡部(106)在基底部分(101)与台面部分(102)之间。

技术领域

本公开涉及一种光刻装置，尤其涉及基于衬底调平数据对光刻装置的控制。本公开进一步涉及一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法使用光刻装置。

背景技术

光刻装置将掩模版(reticle)图案投影到半导体衬底的多个曝光场中，其中，所述掩模版图案被成像到设置在所述半导体衬底上的辐射敏感材料层中。在曝光期间，辐射束沿扫描方向扫描该图案和曝光场。高度传感器可测量半导体衬底的表面点与参考平面之间的距离，并且可以输出衬底调平数据，其中，所述衬底调平数据包括关于所述表面点与所述参考平面之间的距离的信息。焦点控制可以使用衬底调平数据来通过沿辐射束轴线移动半导体衬底，补偿局部形貌(topographical)偏差的影响。另外，剂量修正技术可以减少ACLV(跨芯片线宽变化)和AWLV(跨晶片线宽变化)。

需要一种曝光方法和光刻装置，该曝光方法和光刻装置改善对于由局部形貌变化导致的散焦效应的补偿。

发明内容

本申请的实施例涉及一种曝光方法。提供衬底，并且在所述衬底的主表面上提供光敏层。所述衬底包括基底部分和台面部分。在基底部分中，主表面处于基底平面中。台面部分从基底平面突出。辐射束扫描所述光敏层。通过辐射束施加到光敏层的部分区域的局部剂量包括基本剂量分量和修正剂量分量。修正剂量分量是所述部分区域与位于所述基底部分和所述台面部分之间的过渡部之间的距离的函数。修正剂量分量至少部分地补偿由所述台面部分与所述基底部分之间的高度差引起的散焦对所述部分区域中的关键尺寸的影响。

本申请的另一实施例涉及一种具有衬底台的光刻装置，所述衬底台被配置用于固持具有器件特定形貌(topology)的衬底，所述衬底包括基底部分和台面部分。扫描仪单元被配置用于利用辐射束，扫描在由衬底台固持的衬底的主表面上形成的光敏层。补充控制器被配置用于确定通过辐射束施加到光敏层的部分区域的局部剂量的修正剂量分量。修正剂量分量是所述部分区域与位于所述基底部分和所述台面部分之间的过渡部之间的距离的函数。修正剂量分量至少部分地补偿由所述台面部分与所述基底部分之间的高度差引起的散焦对所述部分区域中的关键尺寸的影响。主控制器被配置用于控制辐射束施加到所述部分区域的局部剂量，其中，所述主控制器被配置用于从所述修正剂量分量和基本剂量分量获得所述局部剂量。

在阅读以下详细描述并查看附图之后，本领域技术人员将认识到另外的特征和优点。

附图说明

包括附图以提供对于实施例的进一步理解，并且结合在本说明书内并构成本说明书的一部分。这些附图图示了曝光方法和光刻装置的实施例，并且与本描述一起用来解释实施例的原理。在下面的详细描述和权利要求中描述了进一步的实施例。

图1示出了根据实施例的光刻装置的示意性框图。

图2示出了根据实施例的具有器件特定形貌的曝光场部分的平面图。

图3A示出了根据实施例的具有被EPR(电泳光致抗蚀剂)层涂覆的器件特定形貌的衬底的截面视图。

图3B示出了根据另一实施例的具有被LPR(旋涂液体光致抗蚀剂)层涂覆的器件特定形貌的衬底的截面视图。