[发明专利]一种物联网跨网通信模块的通信方式

权利要求书

1.一种物联网跨网通信模块的通信方式，通信模块包括以下模块：电源VCC、通信模组、eSIM集成组件，电源VCC向eSIM集成组件供电，通信模组向eSIM集成组件发送控制信号且通信数据与eSIM集成组件双向发送通信数据；

其特征在于，通信方式包括以下步骤：

S1、通信模组与eSIM集成组件上电；

S2、通信模组开始工作；

S3、运营商eSIM芯片A开启；

S4、通信模组向eSIM集成组件发送控制信号；

S5、eSIM集成组件向通信模组发送通信数据；

S6、通信模组入网并检查当前网络CSQ值，检查结果包括以下情况：

A1、如果CSQ值大于16则进行以下步骤：

S7.1、通信模组提取eSIM芯片鉴权信息发送至核心网平台侧，执行鉴权；

S7.2、执行终端业务；

A2、如果CSQ值小于16，则进行以下步骤：

S8.1、通信模组进行当前的控制信号判断，当电平为1时开启运营商eSIM芯片A；当电平为0时开启运营商eSIM芯片B；

S8.2、运营商eSIM芯片开启后，通信模组向eSIM集成组件发送控制信号；

S8.3、eSIM集成组件向通信模组发送通信数据；

S8.4、通信模组入网并检查当前网络，重复步骤S6；

S9、融合联通LPA固件包，完成标准执行控制逻辑下载，双运营商eSIM芯片完成转换。

2.如权利要求1所述的一种物联网跨网通信模块的通信方式，其特征在于：所述eSIM芯片是采用MFF2封装且具备UICC解决方案的微控芯片。

3.如权利要求1所述的一种物联网跨网通信模块的通信方式，其特征在于：所述运营商eSIM设备管理平台均采用OC平台，且通讯协议均可采用coap协议。

4.如权利要求1所述的一种物联网跨网通信模块的通信方式，其特征在于：所述通信模组包括无线通信模块U1A、电阻R10、二极管D10、三极管Q1、开关电容SC，无线通信模块U1A的15脚与二极管D10阴极连接，无线通信模块U1A的17脚与三极管Q1基极连接，三极管Q1发射极接地，三极管Q1集电极与电阻R10一端连接，电阻R10另一端与电源VCC连接，无线通信模块U1A的53脚、54脚分别与开关电容SC两端连接，无线通信模块U1A的45脚、46脚分别与电源VCC连接，无线通信模块U1A的47脚、48脚短接后接地，无线通信模块U1A的51脚、52脚短接后接地；

无线通信模块U1A的39脚与电阻R1一端、电阻R2一端分别连接，电阻R1另一端与eSIM芯片A的1脚连接，电阻R2另一端与eSIM芯片B的1脚连接,所述无线通信模块U1A型号是BC95,所述三极管Q1型号是2N3904。

5.如权利要求1所述的一种物联网跨网通信模块的通信方式，其特征在于：所述eSIM集成组件包括选通芯片U2、eSIM芯片A、eSIM芯片B、电阻R1~R9、三极管Q2、电容C1~C10、二极管D1~D8，选通芯片U2的1脚与二极管D8阴极、eSIM芯片B的6脚分别连接，选通芯片U2的2脚与eSIM芯片A的6脚、电容C9一端分别连接，电容C9另一端接地，选通芯片U2的3脚与二极管D5阴极、eSIM芯片B的0脚分别连接，选通芯片U2的4脚与无线通信模块U1A的38脚连接，选通芯片U2的5脚与二极管D1阴极、eSIM芯片A的0脚分别连接，选通芯片U2的9脚与无线通信模块U1A的36脚、电阻R9一端分别连接，电阻R9另一端与三极管Q2基极连接，三极管Q2发射极与选通芯片U2的10脚、11脚均连接，三极管Q2集电极与电阻R8一端连接，电阻R8另一端与电源VCC连接，选通芯片U2的12脚与二极管D3阴极、电阻R6一端分别连接，电阻R6另一端与eSIM芯片A的2脚连接，选通芯片U2的13脚与电阻R5一端、电阻R7一端、二极管D7阴极分别连接，电阻R7另一端与eSIM芯片B的2脚连接，选通芯片U2的14脚与无线通信模块U1A的41脚连接，选通芯片U2的15脚与无线通信模块U1A的40脚、电阻R3一端分别连接，选通芯片U2的6脚、16脚分别与电源VCC连接,选通芯片U2型号是CD4053，三极管Q2型号是2N3904；

二极管D1~D4共阳极且阳极与电源VCC连接，二极管D2阴极接在电阻R1与eSIM芯片A的1脚之间的节点上，该节点与电容C1一端连接，电容C1另一端与接地点、电容C2一端分别连接，电容C2另一端接在电阻R2与eSIM芯片B之间的节点上，电阻R3~R5另一端分别连接且与电源VCC连接，电容C3两端分别与eSIM芯片A的0脚、4脚连接，电容C4并联在电容C3两端，电容C5一端接在电阻R6与eSIM芯片A之间的节点上，电容C5另一端与电容C7一端连接，电容C7另一端与eSIM芯片B的0脚连接，电容C6并联在电容C7两端，电容C8一端接在电阻R7与eSIM芯片B之间的节点上，二极管D4阴极接在电阻R2与eSIM芯片B之间的节点上；

二极管D5~D8共阳极且阳极接地，二极管D5、D6的阴极分别与eSIM芯片B的0脚、1脚连接；

eSIM芯片A、eSIM芯片B的4脚分别接地。