[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底，所述第一基底表面具有图形区域，所述图形区域内形成有器件图形；

第二基底，所述第二基底通过支撑结构压合于所述第一基底表面，所述支撑结构通过粘胶与所述第一基底和/或第二基底粘结，所述支撑结构环绕所述图形区域设置使得所述第一基底与所述第二基底之间构成空腔，所述图形区域位于所述空腔内；

所述第一基底表面还设置有位于所述空腔内具有一定高度的阻挡坝结构，所述阻挡坝结构位于所述支撑结构与所述图形区域之间，呈一封闭图形，围绕所述图形区域设置，阻挡自所述第一基底和第二基底之间溢出的粘胶。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑结构形成于所述第一基底表面，所述第二基底通过粘胶压合于与所述支撑结构顶部。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑结构形成于所述第二基底表面，所述支撑结构通过粘胶压合于所述第一基底表面。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡坝结构包括一个呈闭环图形的阻挡坝。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡坝结构包括两个及两个以上呈闭环图形套嵌设置的阻挡坝，相邻阻挡坝之间具有一定间距。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件图形包括凸起图形、凹陷图形中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡坝结构的高度与所述器件图形高度相同或高于所述器件图形的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基底上具有多个图形区域和多个阻挡坝结构，每个所述图形区域分别被所述阻挡坝结构及所述支撑结构包围。

9.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底，所述第一基底表面具有图形区域，所述图形区域内形成有器件图形，所述第一基底表面设置具有一定高度的阻挡坝结构，所述阻挡坝结构呈一封闭图形，围绕所述图形区域设置；

提供第二基底；

将所述第二基底通过一支撑结构压合于所述第一基底表面，使得所述第一基底与所述第二基底之间构成空腔，所述图形区域和所述阻挡坝结构位于所述空腔内，所述支撑结构通过粘胶与所述第一基底和/或第二基底粘结，所述支撑结构位于所述阻挡坝结构外围，环绕所述图形区域设置。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述支撑结构形成于所述第一基底表面，在所述支撑结构顶部涂敷粘胶，将所述第二基底压合于所述支撑结构顶部，通过所述粘胶固定；或者，所述支撑结构形成于所述第二基底表面，在所述支撑结构顶部涂敷粘胶，将所述支撑结构顶部与所述第一基底压合，通过所述粘胶固定。

11.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡坝结构包括一个呈闭环图形的阻挡坝。

12.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡坝结构包括两个及两个以上呈闭环图形套嵌设置的阻挡坝，相邻阻挡坝之间具有一定间距。

13.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述器件图形包括凸起图形、凹陷图形中的至少一种。

14.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡坝结构的高度与所述器件图形高度相同或大于所述器件图形高度。

15.根据权利要求14所述的形成方法，其特征在于，当所述阻挡坝结构的高度与所述器件图形高度相同时，同时形成所述阻挡坝结构与所述器件图形。

16.根据权利要求9所述的形成方法，其特征在于，在所述第一基底形成多个图形区域和多个阻挡坝结构，每个所述图形区域分别被所述阻挡坝结构及所述支撑结构包围。