[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，所述第一基底表面具有图形区域，所述图形区域内形成有器件图形；第二基底，所述第二基底通过支撑结构压合于所述第一基底表面，所述支撑结构通过粘胶与所述第一基底和/或第二基底粘结，所述支撑结构环绕所述图形区域设置使得所述第一基底与所述第二基底之间构成空腔，所述图形区域位于所述空腔内；所述第一基底表面还设置有位于所述空腔内具有一定高度的阻挡坝结构，所述阻挡坝结构位于所述支撑结构与所述图形区域之间，呈一封闭图形，围绕所述图形区域设置，阻挡自所述第一基底和第二基底之间溢出的粘胶。所述半导体结构的性能不受压合过程的溢胶影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

半导体晶圆的某些制造工艺中，比如图像传感器(CIS，MOS Image Sensor)的TSV(Through Silicon Via，硅通孔)工艺等，就包含了压合的工艺，将两片晶圆或者一片晶圆与一片基板通过压合(bonding)的工艺，粘合成一片集成的晶圆，形成产品功能，在一些工艺之中，还形成了空腔腔体。在此过程中，压合过程需要用到一些胶合的材料，使两片需要粘合的材料能够很好的结合在一起；而用于胶合的材料，大多数是液体状态，在胶合过程中，需要严格控制剂量，用量的控制失误或者控制困难，会出现溢胶现象，溢出至两片晶圆之间的空腔结构中，会导致液体材料流入到晶圆上的芯片图形上，例如图像传感单元被胶合材料覆盖，对产品性能及良率造成影响。

如何避免压合过程中，胶体溢出至芯片图形上，是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体结构及其形成方法，避免压合过程中的溢胶对产品性能的影响。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体结构，包括：第一基底，所述第一基底表面具有图形区域，所述图形区域内形成有器件图形；第二基底，所述第二基底通过支撑结构压合于所述第一基底表面，所述支撑结构通过粘胶与所述第一基底和/或第二基底粘结，所述支撑结构环绕所述图形区域设置使得所述第一基底与所述第二基底之间构成空腔，所述图形区域位于所述空腔内；所述第一基底表面还设置有位于所述空腔内具有一定高度的阻挡坝结构，所述阻挡坝结构位于所述支撑结构与所述图形区域之间，呈一封闭图形，围绕所述图形区域设置，阻挡自所述第一基底和第二基底之间溢出的粘胶。

可选的，所述支撑结构形成于所述第一基底表面，所述第二基底通过粘胶压合于与所述支撑结构顶部。

可选的，所述支撑结构形成于所述第二基底表面，所述支撑结构通过粘胶压合于所述第一基底表面。

可选的，所述阻挡坝结构包括一个呈闭环图形的阻挡坝。

可选的，所述阻挡坝结构包括两个及两个以上呈闭环图形套嵌设置的阻挡坝，相邻阻挡坝之间具有一定间距。

可选的，所述器件图形包括凸起图形、凹陷图形中的至少一种。

可选的，所述阻挡坝结构的高度与所述器件图形高度相同或高于所述器件图形的高度。

可选的，所述第一基底上具有多个图形区域和多个阻挡坝结构，每个所述图形区域分别被所述阻挡坝结构及所述支撑结构包围。

本发明的技术方案还提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供第一基底，所述第一基底表面具有图形区域，所述图形区域内形成有器件图形，所述第一基底表面设置具有一定高度的阻挡坝结构，所述阻挡坝结构呈一封闭图形，围绕所述图形区域设置；提供第二基底；将所述第二基底通过一支撑结构压合于所述第一基底表面，使得所述第一基底与所述第二基底之间构成空腔，所述图形区域和所述阻挡坝结构位于所述空腔内，所述支撑结构通过粘胶与所述第一基底和/或第二基底粘结，所述支撑结构位于所述阻挡坝结构外围，环绕所述图形区域设置。