[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包含：

外壳，其具有形成于其中的处理空间；

支撑单元，其经组态以将所述基板支撑于所述处理空间中；

等离子体产生单元，其定位于所述支撑单元上方且经组态以将等离子体供应至所述处理空间中；

挡板，其安置于所述支撑单元与所述等离子体产生单元之间且经组态以允许所述等离子体通过；及

散射器，其安置于所述挡板上方且经组态以分离所述等离子体与杂质；

其中所述散射器包括：

具有第一开口的板，所述第一开口在自上方检视时形成于所述板的中心区域中；及

碰撞区域，所述碰撞区域安置于所述第一开口上方以面向所述第一开口且经组态以与自所述等离子体产生单元供应的所述等离子体以及所述杂质碰撞。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述板具有第二开口，所述第二开口在自上方检视时形成于所述板的边缘区域中。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述第二开口在自上方检视时具有圆弧形状。

4.如权利要求2所述的装置，其中多个所述第二开口形成于所述板的所述边缘区域中且沿着所述板的圆周方向彼此隔开。

5.如权利要求3或4所述的装置，其中所述第一开口与所述第二开口之间的区域设置为阻断区域。

6.如权利要求2所述的装置，其中所述外壳具有形成于所述外壳的底部中的排气孔以自所述处理空间释放气体，且

其中所述排气孔在自上方检视时经形成以与所述第二开口重叠或在所述第二开口外部形成。

7.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述碰撞区域包括碰撞部件，且

其中所述碰撞部件当在垂直截面中检视时具有上部末端自中心朝向外侧向下倾斜的形状。

8.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述碰撞区域包括导引部件，且

其中所述导引部件插入至所述第一开口中。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述导引部件当在垂直截面上检视时具有下部末端自外侧朝向中心向下倾斜的形状。

10.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述碰撞区域当在垂直截面上检视时具有上部部分为平坦的形状。

11.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其中所述挡板具有形成于其中的多个孔，且当在垂直截面上检视时包括上表面及下表面，且

其中所述上表面经形成为弯曲表面。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述弯曲表面经弯曲以向上凸起。