[发明专利]基板处理装置有效

专利信息
申请号: 201911292410.7 申请日: 2019-12-16
公开(公告)号: CN111863580B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 王泓胜 申请(专利权)人: PSK有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 孙宝海
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

本公开涉及一种用于处理基板的装置。所述基板处理装置包括散射器,前述散射器安置于挡板上方且分离等离子体与杂质。前述散射器包括:具有第一开口的板,前述第一开口在自上方检视时形成于前述板的中心区域中;及碰撞区域,前述碰撞区域安置于前述第一开口上方以面向前述第一开口且与自等离子体产生单元供应的等离子体及杂质碰撞。

技术领域

本文中描述的本公开概念的实施例涉及一种基板处理装置,且更特定而言,涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理装置。

背景技术

等离子体是指含有离子、自由基及电子的离子化气态物质,且通过加热中性气体至极高温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场影响来产生。半导体装置制造工艺包括使用等离子体移除基板上的薄膜的灰化或蚀刻工艺。灰化或蚀刻工艺通过允许含有于等离子体中的离子及自由基与基板上的膜碰撞或反应来执行。

图1为说明典型等离子体处理装置的视图。参看图1,等离子体处理装置2000具有处理单元2100及等离子体产生单元2300。

处理单元2100使用通过等离子体产生单元2300产生的等离子体处理基板W。处理单元2100包括外壳2110、支撑单元2120及挡板2130。外壳2110具有内部空间2112,且支撑单元2120支撑基板W于内部空间2112中。挡板2130具有形成于其中的多个孔,且安置于支撑单元2120上方。

等离子体产生单元2300产生等离子体。等离子体产生单元2300包括等离子体产生腔室2310、气体供应单元2320、功率施加单元2330,及扩散腔室2340。通过气体供应单元2320供应的处理气体通过RF功率激发为等离子体状态,该RF功率通过功率施加单元2330来施加。所产生的等离子体经由扩散腔室2340供应至内部空间2112中。

然而,诸如反应副产物、微粒或类似者的杂质D产生于使用等离子体处理基板W的工艺中。杂质D自内部空间2112流回至等离子体产生单元2300。引入至等离子体产生单元2300中的杂质D阻碍电子与等离子体产生腔室2310中的处理气体碰撞,以使等离子体产生效率恶化。此外,在杂质D引入至等离子体产生腔室2310中之后,杂质D与产生的等离子体一起又引入至外壳2110的处理空间2112中。如图2中所说明,引入至处理空间2112中的杂质D附接至基板W的顶侧以使基板处理效率恶化。

发明内容

本公开概念的实施例提供一种用于有效地处理基板的基板处理装置。

此外,本公开概念的实施例提供一种用于防止在使用等离子体的基板处理期间产生的杂质引入至等离子体产生单元中的基板处理装置。

此外,本公开概念的实施例提供一种用于分离引入至处理单元中的杂质与供应至处理单元中的离子及自由基且将经分离杂质排出至外部的基板处理装置。

待通过本公开概念解决的技术问题不限于前述问题,且本文中尚未提及的任何其他技术问题将通过熟习本公开概念涉及的技术者自此说明书及附图清楚地理解。

根据例示性实施例,一种用于处理基板的装置包括:外壳,其具有形成于其中的处理空间;支撑单元,其将前述(所述)基板支撑于前述处理空间中;等离子体产生单元,其定位于前述支撑单元上方且将等离子体供应至前述处理空间中;挡板,其安置于前述支撑单元与前述等离子体产生单元之间且允许前述等离子体通过;及散射器,其安置于前述挡板上方且分离前述等离子体与杂质。前述散射器包括:具有第一开口的板,前述第一开口在自上方检视时形成于前述板的中心区域中;及碰撞区域,前述碰撞区域安置于前述第一开口上方以面向前述第一开口且与自前述等离子体产生单元供应的前述等离子体以及前述杂质碰撞。

根据实施例,前述板可具有第二开口,前述第二开口在自上方检视时形成于前述板的边缘区域中。

根据实施例,前述第二开口在自上方检视时可具有圆弧形状。

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