[发明专利]静电夹盘及半导体设备在审
| 申请号： | 201911292545.3 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111326470A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李暎雨 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 赵文曲 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 半导体设备 | ||
1.一种静电夹盘，包括基座及位于所述基座上的顶盘，所述静电夹盘内开设有贯穿所述基座及所述顶盘的管路以及升降孔，所述升降孔内设有升降销，其特征在于：所述顶盘、所述基座、所述升降孔、所述管路的所有暴露的表面上覆盖有结合强度不低于15MPa的耐腐蚀的涂层，所述涂层具有不小于650Hv的维氏硬度。
2.如权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于：所述基座与所述顶盘之间还设有加热件，所述加热件通过第一结合层连接于所述顶盘，通过第二结合层连接于所述基座。
3.如权利要求2所述的静电夹盘，其特征在于：所述静电夹盘还包括密封环，所述密封环至少围绕在所述加热件、所述第一结合层及所述第二结合层的外侧。
4.如权利要求3所述的静电夹盘，其特征在于：所述顶盘与所述基座的直径均比所述加热件、所述第一结合层及所述第二结合层的直径大，形成设置所述密封环的凹槽。
5.如权利要求1所述的静电夹盘，其特征在于：所述涂层的相对密度为90％以上。
6.如权利要求5所述的静电夹盘，其特征在于：所述涂层的中心线平均表面粗糙度Ra不大于1.5μm且不小于1.2μm。
7.一种半导体设备，包括至少一个腔室，其特征在于：所述半导体设备还包括如权利要求1-6任一项所述的静电夹盘，所述静电夹盘设于所述腔室内。
8.如权利要求7所述的半导体设备，其特征在于：所述腔室的内壁覆盖有结合强度不低于15MPa的耐腐蚀的涂层，所述涂层具有不小于650Hv的维氏硬度。
9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于：所述涂层的相对密度为90％以上。
10.如权利要求9所述的半导体设备，其特征在于：所述涂层的中心线平均表面粗糙度Ra不大于1.5μm且不小于1.2μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
