[发明专利]静电夹盘及半导体设备

说明书

一种静电夹盘，包括基座及位于基座上的顶盘，静电夹盘内开设有贯穿基座及顶盘的管路以及升降孔，升降孔内设有升降销，顶盘、基座、升降孔、管路的所有暴露的表面上覆盖有结合强度不低于15Mpa的耐腐蚀的涂层，涂层具有不小于650Hv的维氏硬度。本发明的涂层不易从被覆盖的表面剥落，增强抗腐蚀的耐久性，提高了加工良率。本发明还提供一种具有该静电夹盘的半导体设备。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种静电夹盘及半导体设备。

背景技术

等离子体刻蚀是晶圆加工的重要工艺，它是在等离子体存在的条件下，以平面曝光后得到的光刻图形作掩模，等离子体对晶圆表面进行轰击，晶圆图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离晶圆，从而可控地除去晶圆表面上一定深度的半导体材料薄膜物质而留下不受影响的沟槽边壁上的物质的加工过程。

刻蚀制程一般在半导体设备的腔室内进行。晶圆定位于腔室内的静电夹盘上。静电夹盘包括基座、位于基座上的顶盘以及基座与顶盘之间的加热件。加热件通过第一结合层连接于顶盘，通过第二结合层连接于基座。在刻蚀制程中，等离子体刻蚀条件对暴露在等离子体中的腔室内的各部件产生强烈的离子轰击。这种离子轰击结合于等离子体的化学物质以及/或者刻蚀产物，会对暴露在等离子体中的各部件产生强烈的侵蚀或腐蚀，从而各部件的寿命变短，消耗成本变大，影响加工良率。具体地，第一结合层与第二结合层被侵蚀或腐蚀，则加热件与顶盘、基座之间的结合变差，对晶圆的温度控制发生改变，进而影响加工的良率。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种解决上述问题的静电夹盘及半导体设备。

一种静电夹盘，包括基座及位于所述基座上的顶盘，所述静电夹盘内开设有贯穿所述基座及所述顶盘的管路以及升降孔，所述升降孔内设有升降销，所述顶盘、所述基座、所述升降孔、所述管路的所有暴露的表面上覆盖有结合强度不低于15MPa的耐腐蚀的涂层，所述涂层具有不小于650Hv的维氏硬度。

一种半导体设备，包括至少一个腔室及所述的静电夹盘，所述静电夹盘设于所述腔室内。

进一步地，所述腔室的内壁覆盖有结合强度不低于15MPa的涂层，所述涂层具有不小于650Hv的维氏硬度。

本发明的静电夹盘上覆盖有结合强度不低于15Mpa的耐腐蚀的涂层，增强所述静电夹盘的抗腐蚀或抗侵蚀程度，且所述涂层不易从被覆盖的表面剥落，增强抗腐蚀的耐久性，提高了加工良率。

附图说明

图1是本发明一实施例提供的静电夹盘的剖视示意图。

图2是本发明一实施例提供的半导体设备的腔室的剖视示意图。

主要元件符号说明

静电夹盘 100

基座 10

顶盘 20

本体部 21

承载面 201

电极 22

升降孔 30

升降销 31

管路 40

冷却流路 50