[发明专利]PERC双面电池及其制作方法在审
申请号: | 201911293686.7 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN112993072A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 李兵;刘运宇;邓伟伟;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 双面 电池 及其 制作方法 | ||
1.一种PERC双面电池,包括硅片以及形成于所述硅片背面的钝化层,其特征在于,所述PERC双面电池还包括设置于所述硅片背面的背电场及背电极,所述背电场包括若干平行间隔设置于所述硅片背面的第一副栅,所述第一副栅呈断续状设置且沿所述双面perc电池厚度方向穿透所述钝化层以与所述硅片背面形成电性连接;所述背电极包括若干设置于所述钝化层背面与所述第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与所述第二副栅垂直连接的主栅,所述第二副栅的电阻率小于所述第一副栅的电阻率,所述第二副栅与相应所述第一副栅的背面相连以串接相应所述第一副栅若干间隔设置的部分。
2.根据权利要求1所述的PERC双面电池,其特征在于,所述第一副栅在垂直于其长度方向上的最大宽度大于所述第二副栅的宽度。
3.根据权利要求2所述的PERC双面电池,其特征在于,所述第一副栅在垂直于其长度方向上的最大宽度范围为40μm-200μm,所述第二副栅的宽度范围为20μm-100μm。
4.根据权利要求1所述的PERC双面电池,其特征在于,所述背电极还包括若干沿所述主栅长度方向间隔设置且连接至所述主栅的焊盘。
5.根据权利要求4所述的PERC双面电池,其特征在于,所述背电场于所述焊盘所在区域留设有空白区。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池,其特征在于,相邻两所述第一副栅若干间断设置的部分在所述第一副栅的长度方向上呈错位分布。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池,其特征在于,所述第一副栅由若干间隔设置的圆点部构成,所述圆点部的直径范围为40μm-200μm。
8.根据权利要求7所述的PERC双面电池,其特征在于,每一所述第一副栅相邻两所述圆点部中心间距范围为20μm-2000μm。
9.根据权利要求6所述的PERC双面电池,其特征在于,每一所述第一副栅上的若干所述圆点部呈等间距分布,且相邻两所述第一副栅中的一条上具有一个圆点部与另一条上相邻两个圆点部的中心点连线构成等边三角形。
10.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池,其特征在于,所述第一副栅由若干间隔设置且长度方向与所述第一副栅长度方向一致的长条部构成,所述长条部的长度范围为40μm-10000μm,宽度范围为40μm-200μm,同一所述第一副栅上相邻两所述长条部之间的距离范围为20μm-10000μm。
11.根据权利要求1-5任意一项所述的PERC双面电池,其特征在于,所述硅片背面开设有贯穿所述钝化层以供设置所述第一副栅的凹槽。
12.一种PERC双面电池的制作方法,其特征在于,用于制作权利要求1-10任意一项所述的PERC双面电池,包括以下步骤:
提供背面设置有钝化层的硅片;
在所述硅片背面印刷第一导电浆料;
在印刷有所述第一导电浆料的硅片背面印刷第二导电浆料;
烧结背面印刷有所述第一导电浆料与所述第二导电浆料的硅片,其中,印刷至所述硅片背面的所述第一导电浆料烧结形成所述背电场,印刷至所述硅片背面的所述第二导电浆料烧结形成所述背电极。
13.根据权利要求12所述的PERC双面电池的制作方法,其特征在于,所述第一导电浆料为非烧穿型导电浆料,所述制作方法在印刷所述第一导电浆料之前还包括在所述硅片背面开设贯穿所述钝化层且与所述第一副栅所在位置相匹配的凹槽。
14.根据权利要求12所述的PERC双面电池的制作方法,其特征在于,所述第一导电浆料为烧穿型导电浆料,所述述钝化层布满所述硅片的背面。
15.根据权利要求12-14任意一项所述的PERC双面电池的制作方法,其特征在于,所述第二导电浆料为非烧穿型导电浆料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的