[发明专利]PERC双面电池及其制作方法在审
申请号: | 201911293686.7 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN112993072A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 李兵;刘运宇;邓伟伟;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 张炜平 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | perc 双面 电池 及其 制作方法 | ||
本发明公开了一种PERC双面电池及其制作方法,所涉及的PERC包括硅片、形成于硅片背面的钝化层、设置于硅片背面的背电场及背电极,背电场包括若干平行间隔设置于硅片背面的第一副栅,第一副栅呈断续状设置且沿双面perc电池厚度方向穿透钝化层以与硅片背面形成电性连接;背电极包括若干设置于钝化层背面与第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与第二副栅垂直连接的主栅,第二副栅的电阻率小于第一副栅的电阻率,第二副栅与相应第一副栅的背面相连以串接相应第一副栅若干间隔设置的部分;本发明所提供的PERC双面电池可有效降低电池背面的少子复合,而且在具体光伏组件的应用场景中具有较小的串联电阻,能可靠的提高相应光伏组件的光电转化效率。
技术领域
本发明涉及太阳能光伏技术领域,尤其涉及一种PERC双面电池及其制作方法。
背景技术
双面perc电池是一种正面和反面都可以接受光照而产生电流的光伏器件。采用双面perc电池制作的双面组件,由于背面也可以发电,相比单面电池组件,其总发电量可以得到大幅度的增益。双面perc电池的背面是通过铝线收集电流,进而将收集的电流传输至背电极;然在现有技术中,由于铝线具有较高的电阻率,为避免影响电池片的串联电阻,铝线通常需要设置有较大的宽度。该较大的铝线宽度在极大程度上减小了电池片背面的有效受光面积,进而影响电池效率及双面组件的双面率。
有鉴于此,有必要提供一种能够解决以上技术问题的技术方案。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术存在的技术问题之一,为实现上述发明目的,本发明提供了一种双面perc电池,其具体设计方式如下。
一种PERC双面电池,包括硅片以及形成于所述硅片背面的钝化层,所述PERC双面电池还包括设置于所述硅片背面的背电场及背电极,所述背电场包括若干平行间隔设置于所述硅片背面的第一副栅,所述第一副栅呈断续状设置且沿所述双面perc电池厚度方向穿透所述钝化层以与所述硅片背面形成电性连接;所述背电极包括若干设置于所述钝化层背面与所述第一副栅一一对应设置的第二副栅以及与所述第二副栅垂直连接的主栅,所述第二副栅的电阻率小于所述第一副栅的电阻率,所述第二副栅与相应所述第一副栅的背面相连以串接相应所述第一副栅若干间隔设置的部分。
进一步,所述第一副栅在垂直于其长度方向上的最大宽度大于所述第二副栅的宽度。
进一步,所述第一副栅在垂直于其长度方向上的最大宽度范围为40μm-200μm,所述第二副栅的宽度范围为20μm-100μm。
进一步,所述背电极还包括若干沿所述主栅长度方向间隔设置且连接至所述主栅的焊盘。
进一步,所述背电场于所述焊盘所在区域留设有空白区。
进一步,相邻两所述第一副栅若干间断设置的部分在所述第一副栅的长度方向上呈错位分布。
进一步,所述第一副栅由若干间隔设置的圆点部构成,所述圆点部的直径范围为40μm-200μm。
进一步,每一所述第一副栅相邻两所述圆点部中心间距范围为20μm-2000μm。
进一步,每一所述第一副栅上的若干所述圆点部呈等间距分布,且相邻两所述第一副栅中的一条上具有一个圆点部与另一条上相邻两个圆点部的中心点连线构成等边三角形。
进一步,所述第一副栅由若干间隔设置且长度方向与所述第一副栅长度方向一致的长条部构成,所述长条部的长度范围为40μm-10000μm,宽度范围为40μm-200μm,同一所述第一副栅上相邻两所述长条部之间的距离范围为20μm-10000μm。
进一步,所述硅片背面开设有贯穿所述钝化层以供设置所述第一副栅的凹槽。
本发明还提供了一种PERC双面电池的制作方法,用于制作以上所述的PERC双面电池,包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的