[发明专利]焊接型异方性导电膜接合结构

说明书

本发明提供一种焊接型异方性导电膜接合结构，将焊接型异方性导电膜结合于上基板和下基板之间，且焊接型异方性导电膜包含有多个金属粒子，金属粒子于接合过程中会聚集于上基板和下基板的接合垫上来产生共晶键结，而针对焊接型异方性导电膜之金属粒子的聚集现象，本发明提供了适用的接合垫的线宽、线距和有效区域之设计，可避免接合过程中发生偏移，以达到自对位功能，除了可有效应用于平面产品上，亦可应用于曲面产品，来解决对位偏移的问题。

技术领域

本发明有关于一种异方性导电膜，特别是一种焊接型异方性导电膜接合结构。

背景技术

当今的显示器、触控装置等产品越来越贴近日常生活，其功能也能越来越多样化。为了对应更精细的应用，其接合垫(bond pad)的数目则需增加，但是在有效接合区域为有限的条件下，仅能朝向缩小接合垫宽度，以达到提升接合垫之数目；如此一来，接合困难度着实提升不少。

而随着时代趋势，产品的外观设计也逐步被重视，具有复杂曲面外形的产品越来越普遍，譬如穿戴式产品、车载产品、家电用品…等等。对应于此，允许在非平面上应用的异方性导电膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)之接合需求也被提出讨论。

另外，在现有的接合制程中，温度、压力的均匀性是非常重要的关键；然而，在线距(pitch)越来越小的情况下，其制程上对位精度以及接合后的导电性也成了现今接合制程的重要课题。

因此，有需要寻求一种创新的异方性导电膜接合技术来克服上述先前技术所遭遇的各种问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种焊接型异方性导电膜接合结构，采用焊接型异方性导电膜来达到共晶接合，并根据焊接型异方性导电膜之金属粒子于接合过程中的聚集现象，特别针对接合垫之线宽、线距和有效区域作设计，以有效发挥焊接型异方性导电膜的自对位功能，可降低接合制程之偏移量。

为了达成上述的目的，本发明提供一种焊接型异方性导电膜接合结构，包含上基板、下基板和焊接型异方性导电膜，上基板的下表面设置有等距排列的多个第一接合垫，下基板的上表面设置有等距排列的多个第二接合垫，而焊接型异方性导电膜结合于上基板的下表面与下基板的上表面之间，且焊接型异方性导电膜包含有多个金属粒子，这些金属粒子聚集于第一接合垫和第二接合垫并进行共晶接合。

在本发明中，第一接合垫与第二接合垫必须满足下列条件：

L1≤S2，A＞0，B＞0；

其中，L1为第一接合垫的其中一者的线宽；

S2为第二接合垫的其中一者的线距；

A为第一接合垫与其在垂直投影方向上重叠的第二接合垫之间的重叠宽度；及

B为第一接合垫与其在垂直投影方向上不重叠且最近的第二接合垫的间距。

进一步地，在本发明中，第一接合垫与第二接合垫还满足下列条件：

L1/S1＜1.5，L2/S2小于1.5，L1≤3A；

其中，S1为第一接合垫的线距；及

L2为第二接合垫的线宽。

在本发明中，前述第一接合垫和第二接合垫之线宽或线距为金属粒子的粒径尺寸之5倍。

在本发明中，前述上基板为软性电路板。

在本发明中，前述下基板为显示面板或触控面板。

在本发明中，前述金属粒子与第一接合垫和第二接合垫之共晶接合处形成介金属化合物。

在本发明中，前述第一接合垫与第二接合垫的材质选自金、银和铜。