[发明专利]一种多芯片集成封装结构

权利要求书

1.一种垂直型多芯片集成封装结构，包括：

第一封装基板，具有相对的上表面和下表面；

多芯片封装体，其通过设置于所述上表面上，且所述多芯片封装体通过其内部的第一再布线层电连接至所述第一封装基板；

塑封树脂，形成于所述上表面上，且包裹所述多芯片封装体；

其特征在于，所述多芯片封装体还包括板状的多个单芯片封装体，所述单芯片封装体的每一个均包括一顶面、一底面和四个侧面，所述四个侧面中的第一侧面具有第一引出端子，所述第一引出端子与所述第一再布线层直接物理以及电连接，所述单芯片封装体的每一个均垂直于所述第一再布线层和所述第一封装基板。

2.根据权利要求1所述的垂直型多芯片集成封装结构的制造方法，其特征在于：所述单芯片封装体的每一个均包括：

芯片；

塑封层，包覆所述芯片的侧表面的；

钝化层，覆盖所述芯片和所述塑封层的上表面；

所述第一引出端子，嵌入于所述塑封层内，且从所述单芯片封装体的四个侧面的至少一个侧面露出；

导电层，其形成于所述钝化层上，且电连接所述芯片和所述第一引出端子；

聚合物层，其覆盖所述导电层，且所述聚合物层内无任何开口或通孔结构。

3.根据权利要求2所述的垂直型多芯片集成封装结构，其特征在于：所述聚合物层为热塑性树脂材料、水溶性塑料等，所述多芯片封装体由多个单芯片封装体利用各自的聚合物层直接粘合得到，无需其他粘合层。

4.根据权利要求3所述的垂直型多芯片集成封装结构，其特征在于：所述四个侧面中的第二侧面也具有第二引出端子。

5.根据权利要求4所述的垂直型多芯片集成封装结构，其特征在于：所述第二侧面与所述第一侧面相对设置，且在所述第二侧面具有与所述第二引出端子直接物理以及电连接的第二再布线层，所述第二再布线层电连接至第二封装基板。

6.根据权利要求4所述的垂直型多芯片集成封装结构，其特征在于：所述第二侧面与所述第一侧面相邻设置，且所述第二引出端子通过焊线电连接至所述第一封装基板。

7.一种多芯片集成封装结构，包括：

封装基板，具有相对的上表面和下表面；

多芯片封装体，其设置于所述上表面上，其中，所述多芯片封装体包括板状的多个单芯片封装体，所述单芯片封装体的每一个均包括一顶面、一底面和四个侧面，所述四个侧面均具有引出端子且均垂直于所述封装基板；

塑封树脂，形成于所述上表面上，且包裹所述多芯片封装体；

多个通孔，形成于所述塑封树脂内，且电连接所述引出端子；

多个焊盘，形成于所述塑封树脂的侧面上，且与所述多个通孔分别电连接；

再布线层，形成于所述塑封树脂的侧面上，且实现多个焊盘之间、多个焊盘与所述封装衬底之间的电互连。

8.根据权利要求7所述的多芯片集成封装结构，其特征在于：还包括粘合层，所述粘合层将所述多芯片封装体粘合于所述封装基板的上表面，且所述再布线层的至少一部分从所述粘合层上延伸经过。

9.根据权利要求7所述的多芯片集成封装结构，其特征在于：所述再布线层通过3D打印技术制造得到，实现了横向和纵向电连接的一步形成。

10.根据权利要求7所述的垂直型多芯片集成封装结构的制造方法，其特征在于：所述单芯片封装体的每一个均包括：

芯片；

塑封层，包覆所述芯片的侧表面的；

钝化层，覆盖所述芯片和所述塑封层的上表面；

所述引出端子，嵌入于所述塑封层内，且从所述单芯片封装体的四个侧面露出；

导电层，其形成于所述钝化层上，且电连接所述芯片和所述引出端子；

聚合物层，其覆盖所述导电层，且所述聚合物层内无任何开口或通孔结构；

其中，所述多芯片封装体由多个单芯片封装体利用各自的聚合物层直接粘合得到，无需其他粘合层。