[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件包括元件层、位于所述元件层第一侧表面的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层背离所述元件层一侧的介质层，其中，所述第一绝缘层中具有至少一个第一通孔，所述第一通孔内填充有与所述元件层电连接的第一插接件，所述介质层包括位于所述第一绝缘层表面的刻蚀阻挡层和第一介电层，所述第一介电层的介电常数小于4F/m；该制作方法包括：

步骤1：在所述介质层形成过程中，在预设时间，对所述半导体器件进行检测，获取所述半导体器件的检测结果；

步骤2：如果所述半导体器件的检测结果不满足第一条件，去除所述介质层；

步骤3：在所述第一绝缘层表面背离所述元件层一侧重新生长所述介质层；

步骤4：重复步骤1-步骤3，直至所述半导体器件的检测结果满足第一条件；

其中，所述介质层中具有第二通孔，所述第二通孔填充有与所述第一插接件电连接的第二插接件，所述预设时间位于所述刻蚀阻挡层形成之后以及所述介质层中第二通孔的形成之前。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，该方法在步骤2之后，步骤3之前，该方法还包括：

对所述第一绝缘层抛光第一时间，去除部分所述第一绝缘层与部分所述第一插接件。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一时间的取值范围为1s-4s，包括端点值。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述预设时间位于所述刻蚀阻挡层制作完成后，所述第一介电层形成之前，如果所述半导体器件的检测结果不满足第一条件，去除所述介质层包括：

如果所述半导体器件的检测结果不满足第一条件，且所述刻蚀阻挡层的厚度小于第一预设值，在所述刻蚀阻挡层表面形成缓冲层；

对所述缓冲层和所述刻蚀阻挡层进行抛光，直至去除所述刻蚀阻挡层；

其中，所述缓冲层的硬度小于所述刻蚀阻挡层且不大于所述第一介电层的硬度，且所述缓冲层的质地比所述刻蚀阻挡层软且不比所述第一介电层的质地软。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述缓冲层为硅酸乙酯层。

6.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述预设时间为所述第一介电层形成后，如果所述半导体器件的检测结果不满足第一条件，去除所述介质层包括：

刻蚀部分所述第一介电层，保留第一厚度的第一介电层；

对所述第一厚度的第一介电层和所述刻蚀阻挡层进行抛光，直至去除所述刻蚀阻挡层；

其中，所述第一厚度小于所述刻蚀阻挡层的厚度。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一厚度不大于200埃。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一介电层的刻蚀气体为C₄F₈、O₂、Ar或N₂。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，刻蚀部分所述第一介电层，保留第一厚度的第一介电层包括：

刻蚀第二厚度的第一介电层；

基于所述第二厚度的第一介电层的刻蚀过程，确定所述第一介电层的刻蚀速率；

利用所述第一介电层的刻蚀速率，对所述第一介电层剩余部分继续刻蚀第二时间，以保留第一厚度的第一介电层；

其中，所述第一厚度和所述第二厚度之和小于所述第一介电层的总厚度。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二厚度为所述第一介电层的总厚度的1/2。