[发明专利]晶体管面板、显示设备和制造薄膜晶体管面板的方法

权利要求书

1.一种晶体管面板，其中，所述晶体管面板包括：

衬底；

晶体管，所述晶体管与所述衬底重叠并且包括半导体层；

第一无机缓冲层，所述第一无机缓冲层被设置在所述衬底与所述半导体层之间；以及

无机含氟缓冲层，所述无机含氟缓冲层被设置在所述第一无机缓冲层与所述半导体层之间并且包含在0.5at％至2at％范围内的氟。

2.根据权利要求1所述的晶体管面板，其中，所述第一无机缓冲层包括氮化硅膜。

3.根据权利要求2所述的晶体管面板，其中，所述晶体管面板进一步包括第二无机缓冲层，所述第二无机缓冲层介于所述第一无机缓冲层与所述无机含氟缓冲层之间并且包括氧化硅膜。

4.根据权利要求3所述的晶体管面板，其中，所述晶体管面板进一步包括第三无机缓冲层，所述第三无机缓冲层介于所述无机含氟缓冲层与所述半导体层之间并且包括氧化硅膜。

5.根据权利要求4所述的晶体管面板，其中，在与所述衬底相垂直的方向上，所述第三无机缓冲层比所述第二无机缓冲层薄。

6.根据权利要求3所述的晶体管面板，其中，所述第一无机缓冲层和所述第二无机缓冲层中的至少一个含氟，并且其中，所述第一无机缓冲层中的含氟量和所述第二无机缓冲层中的含氟量的每一个小于所述无机含氟缓冲层中的含氟量。

7.根据权利要求3所述的晶体管面板，其中，所述第一无机缓冲层被直接设置在所述衬底的一个表面上，并且其中，所述半导体层被直接设置在所述无机含氟缓冲层的一个表面上。

8.根据权利要求1所述的晶体管面板，其中，所述无机含氟缓冲层中的氟浓度在厚度方向上从所述无机含氟缓冲层的中心朝着所述衬底和所述半导体层中的至少一个的方向而降低。

9.根据权利要求1所述的晶体管面板，其中，所述无机含氟缓冲层包括SiOF或SiNF。

10.根据权利要求1所述的晶体管面板，其中，所述半导体层包括多晶硅。

11.根据权利要求1所述的晶体管面板，其中，所述衬底包括含有碱金属氧化物成分的玻璃。

12.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：

衬底；

氮化硅膜，所述氮化硅膜被设置在所述衬底上；

第一氧化硅膜，所述第一氧化硅膜被设置在所述氮化硅膜上；

含氟无机膜，所述含氟无机膜被设置在所述第一氧化硅膜上且含有在0.5at％至2at％范围内的氟，并且包括SiOF或SiNF；以及

硅膜，所述硅膜被设置在所述含氟无机膜上，其中所述含氟无机膜被设置在所述衬底、所述氮化硅膜和所述第一氧化硅膜中的至少一个与所述硅膜之间。

13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述硅膜包括多晶硅，并且其中，所述衬底包括含有碱金属氧化物成分的玻璃。

14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，在所述氮化硅膜、所述第一氧化硅膜以及所述含氟无机膜之中，所述含氟无机膜具有最大的氟含量。

15.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述显示设备进一步包括第二氧化硅膜，所述第二氧化硅膜被设置在所述含氟无机膜与所述硅膜之间。