[发明专利]晶体管面板、显示设备和制造薄膜晶体管面板的方法

说明书

本公开涉及一种晶体管面板、显示设备和制造薄膜晶体管面板的方法。所述晶体管面板可以包括衬底、晶体管、第一无机缓冲层以及无机含氟缓冲层。晶体管可以与衬底重叠并且可以包括半导体层。第一无机缓冲层可以被设置在衬底与半导体层之间。无机含氟缓冲层可以被设置在第一无机缓冲层与半导体层之间并且可以包含在0.5at％至2at％范围内的氟。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0166526号的优先权和权益；通过参考将所述韩国专利申请的内容引入于此。

技术领域

本技术领域涉及一种薄膜晶体管面板、显示设备和制造所述薄膜晶体管面板的方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)用在各个领域中。特别地，它们用作诸如液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)显示器的显示设备中的开关元件和驱动元件。

薄膜晶体管面板包括：衬底；在衬底上的缓冲层；以及在缓冲层上的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：与栅极线连接的栅电极；与数据线连接的源电极；面对源电极的漏电极；以及与源电极和漏电极电连接的半导体层。

由于在缓冲层与半导体层之间的界面处的不稳定地耦合，因此可能发生不合需要的俘获。随着陷阱密度的增加，在包括薄膜晶体管面板的显示设备上可能会出现瞬时残留影像。其结果是，显示设备的显示质量可能是不合需要的。

发明内容

实施例可以涉及一种在缓冲层与半导体层之间的界面处具有减小的陷阱密度的薄膜晶体管面板。

实施例可以涉及一种显示设备，其中通过控制在缓冲层与半导体层之间的界面处的陷阱密度来改善瞬时残留影像现象。

实施例可以涉及一种用于制造薄膜晶体管面板的方法，所述薄膜晶体管面板在缓冲层与半导体层之间的界面处具有减小的陷阱密度。

薄膜晶体管面板的实施例包括：衬底；缓冲层，被设置在衬底上；以及薄膜晶体管，被设置在缓冲层上，其中缓冲层包括：第一无机缓冲层，被设置在衬底的一个表面上；以及无机含氟缓冲层，被设置在第一无机缓冲层上并且包含0.5at％至2at％的氟，并且其中薄膜晶体管包括设置在无机含氟缓冲层上的半导体层。

显示设备的实施例包括：衬底；氮化硅膜，被设置在衬底上；第一氧化硅膜，被设置在氮化硅膜上；含氟无机膜，被设置在第一氧化硅膜上且含有0.5at％至2at％的氟，所述含氟无机膜包括SiOF或SiNF；以及硅膜，被设置在含氟无机膜上。

用于制造薄膜晶体管面板的方法的实施例包括步骤：在衬底上形成缓冲层；以及在缓冲层上形成半导体层，其中形成缓冲层的步骤包括：在衬底上形成第一无机层缓冲层；以及在第一无机缓冲层上形成含有0.5at％至2at％的氟的无机含氟缓冲层。

实施例可以涉及一种晶体管面板。晶体管面板可以包括衬底、晶体管、第一无机缓冲层以及无机含氟缓冲层。晶体管可与衬底重叠并且可以包括半导体层。第一无机缓冲层可以被设置在衬底与半导体层之间。无机含氟缓冲层可以被设置在第一无机缓冲层与半导体层之间，并且可以包含在0.5at％至2at％范围内的氟。

第一无机缓冲层可以包括氮化硅膜。

晶体管面板可以包括第二无机缓冲层，介于第一无机缓冲层与无机含氟缓冲层之间并且包括氧化硅膜。

晶体管面板可以包括第三无机缓冲层，介于无机含氟缓冲层与半导体层之间并且包括氧化硅膜。

在与衬底相垂直的方向上，第三无机缓冲层可以比第二无机缓冲层薄。

第一无机缓冲层和第二无机缓冲层中的至少一个可以含氟。第一无机缓冲层中的含氟量和第二无机缓冲层中的含氟量的每一个可以小于无机含氟缓冲层中的含氟量。