[发明专利]湿法清洗装置及清洗方法在审
申请号: | 201911295136.9 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN112992652A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 姜水龙;何雨;张瑞朋 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿法 清洗 装置 方法 | ||
1.一种湿法清洗方法,其特征在于,包括:
提供清洗槽,所述清洗槽内盛放清洗液;
将待清洗件置于清洗槽内的清洗液中,所述清洗液表面与所述清洗槽的上盖留有空隙;
在所述清洗液表面形成隔离氧气和水汽的非活性气体隔离层。
2.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体隔离层浓度沿远离所述清洗液表面的方向逐渐降低。
3.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述空隙的高度范围为5cm-10cm。
4.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体隔离层通过聚集的非活性气体隔离氧气和水汽。
5.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体隔离层通过在所述空隙内形成正压环境,阻止氧气和水汽的进入清洗液。
6.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,在所述清洗液表面形成非活性气体隔离层的步骤包括,向所述清洗液中或底部通非活性气体。
7.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述空隙在远离所述非活性隔离层的位置连接至少一排气孔。
8.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述清洗液包括去胶液,所述去胶液包括二甲亚砜和/或四甲基氢氧化铵。
9.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,在所述清洗液表面形成非活性气体隔离层的步骤包括:在所述清洗槽的上盖设置进气管向所述空隙中通非活性气体。
10.根据权利要求6或9所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体的流速为10~30L/min。
11.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体为惰性气体。
12.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体为氮气。
13.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述非活性气体持续通入。
14.根据权利要求1所述的湿法清洗方法,其特征在于,所述湿法清洗方法用于去除晶圆表面的光刻胶和/或聚合物。
15.一种湿法清洗装置,其特征在于,包括:
清洗槽;用于盛放清洗液,以及,
进气管,固定在所述清洗槽上,用于向所述清洗槽中通入非活性气体;其中,所述进气管固定在清洗槽的上盖,并连通若干设置在所述上盖并竖直向所述清洗液凸出的进气口,或所述进气管沿清洗槽内壁延伸到清洗槽底部,并连通若干设置在所述清洗槽底部的进气口。
16.根据权利要求15所述的湿法清洗装置,其特征在于,所述进气管可以为石英管、PTFE管或PFA管。
17.根据权利要求15所述的湿法清洗装置,其特征在于,相邻所述进气口之间的距离为5~15mm。
18.根据权利要求15所述的湿法清洗装置,其特征在于,所述进气口开口尺寸为0.5~3mm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造