[发明专利]湿法清洗装置及清洗方法

说明书

本发明提供一种湿法清洗装置及清洗方法，包括：提供清洗槽，所述清洗槽内盛放清洗液，将待清洗件置于清洗槽内的清洗液中，所述清洗液表面与所述清洗槽的上盖留有空隙；在所述清洗液表面形成隔离氧气和水汽的非活性气体隔离层。本发明通过在清洗液表面形成非活性气体隔离层，隔绝晶圆与氧气和水汽的接触，防止晶圆表面金属层被腐蚀，提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种湿法清洗装置及清洗方法。

背景技术

随着集成电路制造工艺的不断发展，晶圆关键尺寸(CD)持续缩小，在接受其它工艺诸如光刻、离子注入等之前，晶圆表面必须洁净，因此，湿法清洗工艺在整个集成电路制造工艺中十分重要。晶圆清洗的主要目的是清除晶圆表面的污染和杂质，如微粒、有机物及无机金属离子等杂质。在制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，而且集成电路的集成度越高，制造工序越多，所需的清洗工序也越多。在诸多的清洗工序中，只要其中某一工序达不到要求，则将前功尽弃，导致整批晶圆的报废。

湿法清洗通常为采用化学药液和去离子水等一系列工艺步骤，去除晶圆表面上的玷污。但在去除光刻胶或聚合物的湿法清洗工艺中，晶圆上的金属有一定的腐蚀，破坏了晶圆表面的金属层，影响产品的稳定性，降低产品良率。

发明内容

本发明提供一种湿法清洗装置及清洗方法，通过引入非活性气体，隔绝晶圆与氧气和水汽的接触，防止晶圆表面金属层被腐蚀，提高产品的良率。

本发明提供一种湿法清洗方法，包括：

提供清洗槽，所述清洗槽内盛放清洗液；

将待清洗件置于清洗槽内的清洗液中，所述清洗液表面与所述清洗槽的上盖留有空隙；

在所述清洗液表面形成隔离氧气和水汽的非活性气体隔离层。

可选的，所述非活性气体隔离层通过聚集的非活性气体隔离氧气和水汽。

可选的，所述空隙的高度为5cm-30cm。

可选的，所述非活性气体隔离层通过聚集的非活性气体隔离氧气和水汽。

可选的，所述非活性气体隔离层通过在所述空隙内形成正压环境，阻止氧气和水汽的进入清洗液。

可选的，在所述清洗液表面形成非活性气体隔离层的步骤包括，向所述清洗液中通非活性气体。

可选的，向所述清洗液底部通非活性气体。

可选的，所述清洗液包括去胶液，所述去胶液包括二甲亚砜和/或四甲基氢氧化铵。

可选的，在所述清洗液表面形成非活性气体隔离层的步骤包括：在所述清洗槽的上盖设置进气管向所述空隙中通非活性气体。

可选的，所述非活性气体的流速为10～20L/min。

可选的，所述非活性气体为惰性气体。

可选的，所述非活性气体为氮气。

可选的，所述非活性气体持续通入。

可选的，所述湿法清洗方法用于去除晶圆表面的光刻胶和/或聚合物。

本发明还提供一种湿法清洗装置，包括：

清洗槽；用于盛放清洗液，以及，

进气管，固定在所述清洗槽上，用于向所述清洗槽中通入非活性气体；其中，所述进气管固定在清洗槽的上盖，并连通若干设置在所述上盖并竖直向所述清洗液凸出的进气口，或所述进气管沿清洗槽内壁延伸到清洗槽底部，并连通若干设置在所述清洗槽底部的进气口。

可选的，所述进气管可以为石英管、PTFE管或PFA管。