[发明专利]发光元件在审
| 申请号： | 201911295322.2 | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111081839A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 黄逸儒;庄东霖;沈志铭;许圣宗;黄冠杰;黄靖恩 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1.一种发光元件，其特征在于，包括：
一磊晶结构，包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；
一黏着层，设置于所述磊晶结构的所述第二半导体层上；
一第一反射层，设置于所述黏着层上；
一布拉格反射层，设置于所述第一反射层上且延伸至所述黏着层上，自所述布拉格反射层朝所述磊晶结构的方向定义一投影方向，所述布拉格反射层在所述投影方向上的投影面积分别大于所述第一反射层及所述黏着层在所述投影方向上的投影面积；
一阻挡层，设置于所述布拉格反射层上，且不具有导电性，所述阻挡层的材料包括金属或合金；
一第一电极，电性连接于所述第一半导体层；以及
一第二电极，经由所述第一反射层及所述黏着层电性连接于所述第二半导体层。
2.一种发光元件，其特征在于，包括：
一磊晶结构，包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；
一黏着层，设置于所述磊晶结构的所述第二半导体层上；
一第一反射层，设置于所述黏着层上；
一布拉格反射层，设置于所述黏着层上且延伸至所述磊晶结构之所述第一半导体层上，自所述布拉格反射层朝所述磊晶结构的方向定义一投影方向，所述布拉格反射层在所述投影方向上的投影面积分别大于所述第一反射层及所述黏着层在所述投影方向上的投影面积；
一阻挡层，设置于所述布拉格反射层上，且不具有导电性，所述阻挡层的材料包括金属或合金；
一第一电极，电性连接于所述第一半导体层；以及
一第二电极，经由所述第一反射层及所述黏着层电性连接于所述第二半导体层。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一反射层的材料为银或银合金。
4.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述第一反射层的材料为铝或铝合金。
5.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述布拉格反射层的反射率大于所述阻挡层的反射率。
6.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述布拉格反射层的反射率大于或等于80％。
7.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述阻挡层的材料为铂、金、钨、钛或钛钨合金。
8.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述黏着层为金属薄膜或金属氧化物层。
9.根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于，所述布拉格反射层的侧表面与所述阻挡层的侧表面切齐。
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