[发明专利]封装方法

权利要求书

1.一种封装方法，其特征在于，包括：

提供载体和半导体芯片，所述载体包括第一面以及与所述第一面相对应的第二面，所述半导体芯片具有电极，且所述半导体芯片包括露出所述电极的第三面；

从所述载体的第一面，在所述载体中形成导电盲孔和对准标记盲孔，所述导电盲孔的顶部尺寸小于所述导电盲孔的底部尺寸；

使所述第一面和第三面相对设置，将所述半导体芯片键合于所述载体上，使得所述导电盲孔与所述半导体芯片的电极相对应；

对所述载体的第二面进行减薄处理，使所述导电盲孔变成导电通孔，还使所述对准标记盲孔转变成对准标记孔；

形成保形覆盖所述导电通孔的金属种子层。

2.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在同一步骤中，在所述载体中形成所述对准标记盲孔和导电盲孔。

3.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，从所述载体的第一面，在所述载体中形成对准标记盲孔的步骤包括：在所述载体的所述第一面上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层中具有第一开口，所述第一开口露出所述载体中待形成对准标记盲孔的区域；以所述第一掩膜层为掩膜，从所述载体的第一面刻蚀所述载体，在所述载体中形成对准标记盲孔；

所述封装方法还包括：形成所述对准标记盲孔后，去除所述第一掩膜层。

4.如权利要求1或3所述的封装方法，其特征在于，从所述载体的第一面，在所述载体中形成对准标记盲孔的步骤包括：采用干法刻蚀工艺，从所述载体的第一面刻蚀所述载体，在所述载体中形成对准标记盲孔。

5.如权利要求1所述的封装方法，其特征在于，形成所述导电盲孔的步骤包括：在所述载体的所述第一面上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有第二开口，所述第二开口露出所述载体中待形成所述导电盲孔的区域；以所述第二掩膜层为掩膜，从所述载体的第一面刻蚀所述载体，在所述载体中形成所述导电盲孔；

所述封装方法还包括：形成所述导电盲孔后，去除所述第二掩膜层。

6.如权利要求1或5所述的封装方法，其特征在于，从所述载体的第一面，在所述载体中形成导电盲孔的步骤包括：通过深硅刻蚀工艺，从所述载体的第一面刻蚀所述载体，在所述载体中形成导电盲孔，所述深硅刻蚀工艺包括刻蚀多组依次循环进行的刻蚀处理、钝化处理以及底部清除处理；

所述刻蚀处理的步骤包括：刻蚀所述载体，在所述载体中形成凹槽；

所述钝化处理的步骤包括：在所述凹槽的底壁和侧壁上形成钝化层；

所述底部清除处理的步骤包括：去除所述凹槽底部的所述钝化层。

7.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，采用各向同性干法刻蚀工艺进行所述刻蚀处理；

所述刻蚀处理的工艺参数包括：采用的刻蚀气体包括SF6，腔室压强10mTorr至300mTorr，刻蚀时间的工艺为0.2秒至4秒，刻蚀气体的流量为300sccm至2000sccm。

8.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述钝化处理的工艺参数包括：采用的钝化气体包括C4F8，腔室压强为10mTorr至300mTorr，钝化处理的工艺时间为0.2秒至4秒，钝化气体的流量为300sccm至2000sccm。

9.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在每一次的所述钝化处理的过程中，所述钝化层的厚度为0.2微米至1.5微米。

10.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，采用各向异性干法刻蚀工艺进行所述底部清除处理，所述底部清除处理的工艺参数包括：刻蚀气体包括含F和O的气体，腔室压强为10mTorr至300mTorr，工艺时间为0.2秒至4秒，刻蚀气体流量为100sccm至2000sccm。

11.如权利要求6所述的封装方法，其特征在于，在所述载体中形成导电盲孔的步骤中，前一次的刻蚀处理的反应时间小于后一次刻蚀处理的反应时间。