[发明专利]硅化合物和使用硅化合物沉积膜的方法

权利要求书

1.一种用于制备介电膜的化学气相沉积方法，所述方法包括：

将气体试剂引入到其中提供有衬底的反应室中，其中所述气体试剂包含硅前体，所述硅前体包含具有下式I的硅化合物：

其中R¹选自氢、直链或支链C₁-C₁₀烷基、直链或支链C₂-C₁₀烯基、直链或支链C₂-C₁₀炔基、C₃-C₁₀环烷基、C₃-C₁₀杂环烷基、C₅-C₁₀芳基和C₃-C₁₀杂芳基；R²是C₂-C₃烷二基，其与Si和氧原子形成具有任选的C₁-C₆烷基取代基的四元或五元饱和环状环；R³选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、直链或支链C₂-C₁₀烯基、直链或支链C₂-C₁₀炔基、C₃-C₁₀环烷基、C₃-C₁₀杂环烷基、C₅-C₁₀芳基、C₃-C₁₀杂芳基和烷氧基OR⁴，其中R⁴选自直链或支链C₁-C₁₀烷基、直链或支链C₂-C₁₀烯基和直链或支链C₂-C₁₀炔基；和

在所述反应室中向所述气体试剂施加能量以诱导所述气体试剂的反应从而在所述衬底上沉积膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体还包含硬化添加剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅化合物包含选自以下的至少一种：2,2,5,5-四甲基-1-氧杂-2-硅杂环戊烷、2,5,5-三甲基-2-乙氧基-1-氧杂-2-硅杂环戊烷、2,5,5-三甲基-2-甲氧基-1-氧杂-2-硅杂环戊烷、2,5,5-三甲基-2-异丙氧基-1-氧杂-2-硅杂环戊烷、2,5,5-三甲基-2-异丙基-1-氧杂-2-硅杂环戊烷、2-甲基-2-异丙基-1-氧杂-2-硅杂环戊烷及其组合。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述硬化添加剂包含四乙氧基硅烷。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述硬化添加剂包含四甲氧基硅烷。

6.根据权利要求1所述的方法，其是等离子体增强化学气相沉积方法。

7.根据权利要求1的方法，其中所述气体试剂还包含至少一种选自O₂、N₂O、NO、NO₂、CO₂、CO、水、H₂O₂、臭氧及其组合的氧源。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述施加步骤中，所述反应室包含至少一种选自He、Ar、N₂、Kr、Xe、NH₃、H₂、CO₂和CO的气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其还包括将额外能量施加至所述膜的步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述额外能量是选自热处理、紫外线(UV)处理、电子束处理和伽马辐射处理的至少一种。