[发明专利]一种超结型MOSFET器件及制备方法

权利要求书

1.一种超结型MOSFET器件，其特征在于，包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P-体区和N⁺源极区；

所述P型柱深槽位于所述第一外延层内，且所述第二外延层位于所述P型柱深槽和所述第一外延层的上层；

所述P-体区位于所述第二外延层内，所述P型柱深槽位于所述P-体区的正下方，且所述P-体区的宽度小于所述P型柱深槽的宽度；

两个所述N⁺源极区分别位于所述P-体区的两侧。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括多晶硅栅极和栅氧化层；

所述栅氧化层和所述多晶硅栅极依次设置在所述第二外延层上，且延伸至所述P-体区和所述N⁺源极区的上层。

3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，还包括绝缘氧化层和金属层；

所述绝缘氧化层位于所述多晶硅栅极上层，且部分所述绝缘氧化层延伸出所述多晶硅栅极位于部分所述N⁺源极区的上层；

金属层位于所述绝缘氧化层的上层，且部分所述金属层延伸出所述绝缘氧化层位于部分所述N⁺源极区和部分所述P-体区的上层。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括衬底层，所述衬底层位于所述第一外延层的正下方。

5.一种超结型MOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括：

通过刻蚀方法在第一外延层内形成P型柱深槽，在所述P型柱深槽上表面以及所述第一外延层的上方形成第二外延层；

在所述第二外延层的上方形成栅氧化层和多晶硅栅极；

通过离子注入法在位于所述P型柱深槽上方的所述第二外延层内形成P-体区；

通过离子注入法在所述P-体区内形成两个N⁺源极区；

在所述多晶硅栅极上层依次形成绝缘氧化层和金属层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第二外延层的上方形成栅氧化层和多晶硅栅极，具体包括：

在所述第二外延层上方依次淀积氧化层和多晶硅层，对位于所述P型柱深槽上方的所述氧化层和所述多晶硅层进行刻蚀，且刻蚀掉的所述氧化层和所述多晶硅层的宽度小于所述P型柱深槽的沟槽宽度。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入法在位于所述P型柱深槽上方的所述第二外延层内形成P-体区，具体包括：

对位于所述P型柱深槽上方的所述第二外延层进行第一次离子注入形成所述P-体区。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述通过离子注入法在所述P-体区内形成两个N⁺源极区，具体包括：

对位于所述第二外延层上的所述P-体区进行第二次离子注入，在所述P-体区的两侧分别形成所述N⁺源极区。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅栅极上层依次形成绝缘氧化层和金属层，具体包括：

在所述多晶硅栅极的上层和所述第二外延层的上层形成绝缘氧化层，通过刻蚀的方法将位于所述第二外延层上的所述绝缘氧化层刻蚀掉，且刻蚀掉的所述绝缘氧化层的宽度小于相邻的两个所述多晶硅栅极之间的宽度；

在所述绝缘氧化层和所述第二外延层上通过金属沉淀的方法形成金属层。