[发明专利]一种模块化封装半导体防浪涌器件及其制造方法在审
申请号: | 201911299865.1 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN110890350A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 单少杰;苏海伟;魏峰;范炜盛;王帅;张英鹏;赵鹏;范婷;郑彩霞 | 申请(专利权)人: | 上海维安半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/62 | 分类号: | H01L23/62;H01L25/16;H01L23/31 |
代理公司: | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人: | 董梅 |
地址: | 201202 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模块化 封装 半导体 浪涌 器件 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及一种模块化封装半导体防浪涌器件及其制造方法,先完成独立模块化的封装,对独立模块进行焊接组成功能性结构,根据需求进行二次塑封,至少包括下述步骤:功能模块制造:先完成独立模块化的封装,对由半导体功能芯片及其电极构成的功能模块进行独立的封装,构成独立的功能模块;对二个以上的独立模块进行组合、焊接,构成模块化封装半导体防浪涌器件。本发明还包括由上述方法制备的产品,满足市场对于体积有要求的大功率半导体防浪涌器件的需求。由于不使用预制的框架,有效降低了器件的体积,缩小了占板面积和器件高度;产品可靠性高,工艺参数稳定;功能性模块为分离封装的,应用更方便、灵活。
技术领域
本发明涉及半导体防浪涌器件的技术领域,尤其是一种模块化封装半导体防浪涌器件及其制造方法,以满足市场对于体积有要求的大功率半导体防浪涌器件的需求。
背景技术
浪涌(electrical surge),就是瞬间出现超出稳定值的峰值,它包括浪涌电压和浪涌电流。本质上讲,浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。可能引起浪涌的原因有:雷击、电力线搭接、汽车抛负载等等。
雷击浪涌发生时,以雷击为中心1.5~2KM范围内,都可能产生危险的过电压。雷击引起(外部)电涌的特点是单相脉冲型,能量巨大。外部电涌的电压在几微秒内可从几百伏快速升高至20000V,可以传输相当长的距离。,瞬间电涌可高达20000V,瞬间电流可达10000A。对电子设备的会造成极大的伤害。
我们在设备设计时(尤其是户外设备)都需要考虑对浪涌的防护,半导体防浪涌器件是防浪涌器件的重要组成部分。半导体防浪涌器件有:瞬态电压抑制器(TransientVoltage Suppressors,简称TVS)、半导体放电管(Thyristor Surge Suppresser,简称TSS)等等。
瞬态电压抑制器(Transient Voltage Suppressors,简称TVS)是一种普遍使用的过压保护器件,它具有响应快,大通流,体积小,漏电流小,可靠性高等优点,是一种必不可少的保护类器件。
半导体放电管(Thyristor Surge Suppresser,简称TSS),是一种开关型的过电压保护器件,具有精确导通、快速响应、浪涌吸收能力强、可靠性高等特点;半导体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。用于保护敏感易损的电路,使之免遭雷电和突波的冲击而造成的损坏。
随着社会的进步,电子设备对可靠性的要求,体积的要求,性能的要求都达到了及其苛刻的地步。 对防浪涌器件,尤其是大通流(例如1.2/50μs电压波形-8/20μs电流波形3KA等级 TVS器件)防浪涌器件的要求越来越高。传统的大通流防浪涌器件受到工艺条件的限制体积厚度会变得很大,如,塑封需使用刻蚀框架或冲压框架等预制框架,且量产稳定性差,可靠性会无法满足要求。
所以本发明开发了一种模块化塑封封装技术。具有大通流、小型化、工艺稳定、高可靠性、良率高、生产效率高、美观等优点来满足未来的发展趋势。
发明内容
为了解决传统半导体防浪涌器件,尤其是大功率半导体防浪涌器件占版面积大、可靠性差、高度高、工艺不稳定,电压固定不灵活的问题,本发明目的在于:提出一种模块化封装半导体防浪涌器件。
本发明再一目的在于提供一种上述方法制造的模块化封装半导体防浪涌器件的制造方法。
本发明目的通过下述技术方案实现:一种模块化封装半导体防浪涌器件,包括且不限于TVS、TSS器件,包含功能芯片、电极和引脚,其中,由功能芯片和电极封装成独立的功能模块,由二个以上的独立的模块进行组合构成模块化封装半导体防浪涌器件。
在上述方案基础上,还包括由电极和/或引脚构成的非功能模块,其中,所述的电极、引脚为金属连接层。
其中,由二个或二个以上功能芯片串联而成功能性结构。
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