[发明专利]基片液处理装置在审
申请号: | 201911299983.2 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN111383958A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 大津孝彦;高山和也;稻田尊士 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基片液 处理 装置 | ||
1.一种基片液处理装置,其特征在于,包括:
处理槽,其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液;
基片支承部,其在所述处理槽内,以所述多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承所述多个基片;
处理液排出部,其设置在比由所述基片支承部支承的所述多个基片靠下方处,通过将所述处理液排出到所述处理槽内来生成上升流;和
在侧方空间中调节所述处理液的液流的整流部,其中所述侧方空间形成在所述处理槽的第1侧壁与所述多个基片中具有和所述第1侧壁相对的主面的第1基片之间。
2.如权利要求1所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述整流部具有设置在所述第1侧壁的、排出所述处理槽内的所述处理液的第1排出孔。
3.如权利要求2所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述第1排出孔与所述第1基片的上端部相对地设置。
4.如权利要求2或者3所述的基片液处理装置,其特征在于:
还包括具有第2排出孔的第2整流部,其中所述第2排出孔设置在与所述处理槽的所述第1侧壁连接的第2侧壁,排出所述处理槽内的所述处理液。
5.如权利要求1~3中任一项所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述整流部具有配置在所述侧方空间的板状部件,
所述板状部件与所述第1基片和所述第1侧壁隔开间隔,
所述板状部件的一个主面是与所述第1基片相对的相对面。
6.如权利要求4所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述整流部具有配置在所述侧方空间的板状部件,
所述板状部件与所述第1基片和所述第1侧壁隔开间隔,
所述板状部件的一个主面是与所述第1基片相对的相对面。
7.如权利要求5所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述第1基片与所述板状部件的间隔比所述板状部件与所述第1侧壁的间隔小。
8.如权利要求5所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述整流部具有将所述板状部件固定在所述处理槽的固定部。
9.如权利要求7所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述整流部具有将所述板状部件固定在所述处理槽的固定部。
10.如权利要求5所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述基片支承部沿所述铅垂方向和与所述第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承所述多个基片,
所述板状部件被固定于所述基片支承部。
11.如权利要求7所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述基片支承部沿所述铅垂方向和与所述第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承所述多个基片,
所述板状部件被固定于所述基片支承部。
12.如权利要求5所述的基片液处理装置,其特征在于:
所述基片支承部沿所述铅垂方向和与所述第1基片的主面交叉的方向延伸来从下方支承所述多个基片,
所述整流部具有用于固定所述板状部件的固定部,
所述板状部件包括:通过所述固定部固定于所述处理槽的第1分隔部件;和固定于所述基片支承部的第2分隔部件,
所述第1分隔部件构成所述相对面的一部分,
所述第2分隔部件构成所述相对面的其他部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造