[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201911301472.X 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN110993834B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 闫华杰;黄清雨;焦志强;陈福栋;张永峰;李晓虎 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 刘伟;张博
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED显示基板的制作方法,其特征在于,包括:

在形成OLED显示基板的阳极之前,采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙,所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域;

形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层;

去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分,暴露出所述阻隔墙,所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形,每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内;

形成所述阻隔墙之前,所述方法还包括:

形成像素界定层,所述像素界定层限定出所述像素区域;

所述子像素区域的宽度小于1微米;

所述阻隔墙远离所述衬底基板一侧表面的宽度不大于100nm。

2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法,其特征在于,所述去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分包括:

利用化学机械抛光工艺对所述阳极材料层进行磨平处理。

3.一种OLED显示基板,其特征在于,采用如权利要求1-2中任一项所述的制作方法制作得到。

4.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述阻隔墙远离所述衬底基板一侧表面的宽度不大于100nm。

5.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,所述子像素区域的宽度小于1微米。

6.根据权利要求3所述的OLED显示基板,其特征在于,

所述阻隔墙在第一方向上的截面为三角形或梯形,所述第一方向垂直于所述衬底基板且垂直于所述阻隔墙的延伸方向。

7.根据权利要求6所述的OLED显示基板,其特征在于,

所述三角形的底角大于60°;或所述梯形的底角大于60°。

8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求3-7中任一项所述的OLED显示基板。

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