[发明专利]OLED显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。OLED显示基板的制作方法，包括：在形成OLED显示基板的阳极之前，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域；形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层；去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，暴露出所述阻隔墙，所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形，每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内。本发明的技术方案能够提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

基于现有显示产品，尤其是手机显示屏实现裸眼3D显示效果，存在PPI(像素密度)低、信息量少、3D视角小等缺陷，易使人产生头晕，且用户体验不佳。为了解决这些问题，可以提高显示产品的像素密度，从而实现高分辨率裸眼3D显示，但现有的OLED显示基板是通过构图工艺将阳极图形化，由于构图工艺精度的限制，OLED显示基板的PPI很难提升。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够提高OLED显示基板的像素密度，进而能够基于OLED显示基板实现裸眼3D显示效果。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：

在形成OLED显示基板的阳极之前，采用纳米压印工艺在OLED显示基板的像素区域形成多个阻隔墙，所述阻隔墙将每一像素区域分割成多个子像素区域；

形成覆盖所述阻隔墙的阳极材料层；

去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分，暴露出所述阻隔墙，所述阻隔墙将所述阳极材料层分割成多个阳极图形，每一所述阳极图形位于一所述子像素区域内。

可选地，形成所述阻隔墙之前，所述方法还包括：

形成像素界定层，所述像素界定层限定出所述像素区域。

可选地，形成所述像素界定层和所述阻隔墙包括：

采用纳米压印工艺同时形成所述像素界定层和所述阻隔墙。

可选地，所述去除所述阳极材料层远离所述OLED显示基板的衬底基板的一部分包括：

利用化学机械抛光工艺对所述阳极材料层进行磨平处理。

本发明的实施例提供了一种OLED显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。

可选地，所述阻隔墙远离所述衬底基板一侧表面的宽度不大于100nm。

可选地，所述子像素区域的宽度小于1微米。

可选地，所述阻隔墙在第一方向上的截面为三角形或梯形，所述第一方向垂直于所述衬底基板且垂直于所述阻隔墙的延伸方向。

可选地，所述三角形的底角大于60°；或所述梯形的底角大于60°。

本发明的实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。

本发明的实施例具有以下有益效果：