[发明专利]一种高通滤波器的漏电流补偿电路在审

专利信息
申请号: 201911302104.7 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN110932698A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 李壤中 申请(专利权)人: 中晟微电子(南京)有限公司
主分类号: H03H11/12 分类号: H03H11/12
代理公司: 江苏法德东恒律师事务所 32305 代理人: 刘林
地址: 210000 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 滤波器 漏电 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,包括连接在高通滤波器与后级电路之间的运放单元和驱动管;

运放单元两个输入端与高通滤波器中的偏置电阻两端分别对应连接,对偏置电路两端的压降进行放大;运放单元的输出作为驱动管的输入,用于调整流过驱动管的电流;驱动管与后级电路连接,驱动管与后级电路交互的电流的差额部分反馈流向至偏置电阻,直至流过偏置电阻的电流趋向于零。

2.根据权利要求1所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,高通滤波器中的电容对输入信号进行隔直滤波后连接至运放单元的正相输入端,运放单元的反相输入端施加偏置电压。

3.根据权利要求1所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,所述驱动管为三极管或MOS管。

4.根据权利要求1或3所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,所述驱动管为PMOS管、PNP管、NPN管或NMOS管。

5.根据权利要求4所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,运放单元的输出端与驱动管PMOS管的栅极或PNP管的基极连接,驱动管PMOS管的漏极或PNP管的集电极与后级电路连接,驱动管PMOS管的源极或PNP管的发射极接电源。

6.根据权利要求4所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,运放单元的输出端与驱动管NMOS管的栅极或NPN管的基极连接,驱动管NMOS管的漏极或NPN管的集电极与后级电路连接,驱动管NMOS管的源极或NPN管的发射极接地。

7.根据权利要求1所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,所述后级电路为有源管。

8.根据权利要求1所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,所述后级电路为三极管或MOS管。

9.根据权利要求1或8所述的一种高通滤波器的漏电流补偿电路,其特征是,所述后级电路为NPN管、NMOS管、PMOS管或PNP管。

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