[发明专利]一种高通滤波器的漏电流补偿电路在审

专利信息
申请号: 201911302104.7 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN110932698A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 李壤中 申请(专利权)人: 中晟微电子(南京)有限公司
主分类号: H03H11/12 分类号: H03H11/12
代理公司: 江苏法德东恒律师事务所 32305 代理人: 刘林
地址: 210000 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 滤波器 漏电 补偿 电路
【说明书】:

发明公开了一种高通滤波器的漏电流补偿电路,包括连接在高通滤波器与后级电路之间的运放单元和驱动管;运放单元两个输入端与高通滤波器中的偏置电阻两端分别对应连接,对偏置电路两端的压降进行放大;运放单元的输出作为驱动管的输入,用于调整流过驱动管的电流;驱动管与后级电路连接,驱动管与后级电路交互的电流的差额部分反馈流向至偏置电阻,直至流过偏置电阻的电流趋向于零。本发明提出的漏电流补偿电路,实现了使用高通滤波器时,在采用较大的电阻和减小的电容情况下,仍能保证电路性能和工作状态,电容减小,带来电容本身的寄生容值的减小,提高电路的频率特性而实现超高频和高带宽设计,同时也显著减小了芯片面积,降低了芯片成本。

技术领域

本发明涉及一种面向无线通信和光通信的集成电路,属于电路技术领域。

背景技术

在无线通信和光通信领域内,随着5G技术的发展和应用,要求有更高的载波频率和信号有用带宽。在无线领域内,常常把接收到的高频的有用信号通过变频得到较低的中频频率,以便后端的模数转换器处理。在集成电路设计中,为避开直流失调的问题,零中频和低中频两种结构是首选,为了滤除接近于直流附近的频率,通常会用一个高通滤波器来实现。对于高速光通信集成电路设计,通常要求有接近直流到几十GHz的带宽,一个片上频率极低的高通滤波器势不可少。

芯片上集成高通滤波器,通常有无源电阻和无源电容构成,由于电容所占面积较大而且大电容的寄生电容也大,所以一般采用较大阻值的电阻,但是只要高通滤波器的后级电路存在较大的漏电流,将会在电阻上产生较大的压降,从而导致后级电路的性能下降甚至不能正常工作。减小电阻值,增大电容,会增加裸芯面积和成本,同时大电容以及电容本身的寄生电容会为前级电路带来较大的负载,影响电路的高频特性。

发明内容

发明目的:

本发明提出一种漏电流补偿电路,目的是把流过高通滤波器无源电阻的漏电流,由额外的补偿电路来供给,从而保证了后级电路的正常工作和整体链路的性能。

技术方案:

一种高通滤波器的漏电流补偿电路,包括连接在高通滤波器与后级电路之间的运放单元和驱动管;

运放单元两个输入端与高通滤波器中的偏置电阻两端分别对应连接,对偏置电路两端的压降进行放大;运放单元的输出作为驱动管的输入,用于调整流过驱动管的电流;驱动管与后级电路连接,驱动管与后级电路交互的电流的差额部分反馈流向至偏置电阻,直至流过偏置电阻的电流趋向于零。

进一步地,高通滤波器中的隔直电容对输入信号进行隔直滤波后连接至运放单元的正相输入端,运放单元的反相输入端施加偏置电压。

进一步地,所述驱动管为三极管或MOS管。

进一步地,所述驱动管为PMOS管、PNP管、NPN管或NMOS管。

进一步地,运放单元的输出端与驱动管PMOS管的栅极或PNP管的基极连接,驱动管PMOS管的漏极或PNP管的集电极与后级电路连接,驱动管PMOS管的源极或PNP管的发射极接电源。

进一步地,运放单元的输出端与驱动管NMOS管的栅极或NPN管的基极连接,驱动管NMOS管的漏极或NPN管的集电极与后级电路连接,驱动管NMOS管的源极或NPN管的发射极接地。

进一步地,所述后级电路为有源管。

进一步地,所述后级电路为三极管或MOS管。

进一步地,所述后级电路为NPN管、NMOS管、PMOS管或PNP管。

本发明所达到的有益效果:

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