[发明专利]用于电机的电路组件和整流器电路

权利要求书

1.电路组件（100），其具有开关晶体管（110、M1）和用于操控所述开关晶体管（110、M1）的操控电路（120），所述开关晶体管具有第一负载接头（S）、第二负载接头（D）和控制接头（G），

其中所述操控电路还具有控制晶体管（Q3）、特别是双极型晶体管，所述控制晶体管具有第一负载接头、第二负载接头和控制接头，所述操控电路还具有二极管单元（D2、Q4）、第一电阻元件（R4）、第二电阻元件（R2）、第三电阻元件（R3）和电位单元（C1、V+），

其中，相应一条信号路径存在于

- 所述开关晶体管（110、M1）的第二负载接头（D）与所述控制晶体管（Q3）的控制接头之间，所述信号路径具有二极管单元（D2、Q4）和第一电阻元件（R4），

- 所述控制晶体管（Q3）的第一负载接头与所述开关晶体管（110、M1）的控制接头（G）之间，

- 所述控制晶体管（Q3）的第二负载接头与所述开关晶体管（110、M1）的第一负载接头（S）之间，

- 所述控制晶体管（Q3）的控制接头和电位单元（C1、V+）之间，所述信号路径具有第三电阻元件（R3），并且

- 所述控制晶体管（Q3）的第一负载接头和电位单元（C1、V+）之间，所述信号路径具有第二电阻元件（R2）。

2.根据权利要求1所述的电路组件（100），其中，信号路径存在于所述控制晶体管（Q3）的控制接头和用于接收第一控制信号的第一信号接头（123a）之间和/或所述控制晶体管（Q3）的第二负载接头和用于接收第二控制信号（Off）的第二信号接头（123b）之间。

3.根据权利要求1或2所述的电路组件（100），其中，所述电位单元（C1、V+）被构造为用于将所述电路组件（100）与电压源连接的电位接头（V+），和/或被构造为布置在所述开关晶体管（110、M1）的第一负载接头（S）和第二负载接头（D）之间的信号路径中的电容器（C1），所述信号路径具有电阻元件（R5）和二极管（D1）。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电路组件（100），其中，在所述控制晶体管（Q3）的控制接头和所述控制晶体管（Q3）的第一负载接头之间存在如下信号路径，所述信号路径具有电容器（C2）。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电路组件（100），其中，在所述控制晶体管（Q3）的第一负载接头和所述开关晶体管（110、M1）的控制接头（G）之间的信号路径具有放大器电路。

6.根据权利要求5所述的电路组件（100），其中，所述放大器电路具有两个互补晶体管（Q1、Q2），所述两个互补晶体管（Q1、Q2）分别具有第一负载接头、第二负载接头和控制接头，其中，所述控制晶体管（Q3）的第一负载接头与这两个互补晶体管（Q1、Q2）的第三接头连接，其中，这两个互补晶体管（Q1、Q2）的第二接头共同与所述开关晶体管（110、M1）的控制接头（G）连接。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电路组件（100），其中，所述二极管单元（D2、Q4）被构造为二极管（D2）和/或晶体管（Q4）、特别是双极型晶体管，所述双极型晶体管的第一负载接头和控制接头相互连接。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电路组件（100），其中，所述开关晶体管（110、M1）构造为MOSFET，其中，所述开关晶体管的第一负载接头构造为所述MOSFET的源极接头（S），所述开关晶体管的第二负载接头构造为所述MOSFET的漏极接头（D），并且所述开关晶体管的控制接头构造为所述MOSFET的栅极接头（G）。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电路组件（100），其中，所述控制晶体管（Q3）构造为双极型晶体管，其中，所述控制晶体管的第一负载接头构造为所述双极型晶体管的集电极，所述控制晶体管的第二负载接头构造为所述双极型晶体管的发射极，并且所述控制晶体管的控制接头构造为所述双极型晶体管的基极。