[发明专利]一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法

权利要求书

1.一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

1.1）激光半切穿；

将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；

1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；

在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;

1.3）N面揭裂片保护膜；

将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；

1.4）贴蓝膜；

将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。

2.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。

3.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。

4.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。

5.根据权利要求1所述的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，其特征在于，步骤1.3）中的晾干时间为10min。