[发明专利]一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法

说明书

一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本发明涉及芯片蓝膜加工，尤其涉及一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。提供了一种提高加工效率和品质、降低应力损伤的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。本发明预先采用激光半切穿：将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度100‑300mm/s，切割频率30‑90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4‑2/3，切割痕宽度20um‑60um。然后将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒。将芯片分离成一颗颗晶粒后贴在蓝膜上。本发明具有提高加工效率和品质、降低应力损伤等特点。

技术领域

本发明涉及芯片蓝膜加工，尤其涉及一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。

背景技术

目前蓝膜芯片普遍的加工工艺是将GPP（GPP中文名称:玻璃钝化）芯片贴蓝膜后使用刀片全切穿成散粒状态，因为刀片的机械应力损伤较大，且GPP芯片使用玻璃做钝化层，其脆性较差，晶粒易受应力作用产生内部损伤，同时晶粒与蓝膜间的致密性导致这种损伤未能及时发现，最终造成终端的晶粒损破，导致产品品质下降。

在半导体市场竞争越演越烈的今天，随着客户端自动抓晶机的逐渐导入和PPH值不断提升，市场上的蓝膜需求量越来越大，而现有刀片切割蓝膜产品的效率低，应力损伤大，故研究一种高效率、高品质、低风险的GPP芯片蓝膜加工工艺对占有市场具有重大的意义。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种提高加工效率和品质、降低应力损伤的一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法。

本发明的技术方案是：一种新型的GPP芯片蓝膜加工方法，包括以下步骤：

1.1）激光半切穿；

将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100-300mm/s，切割频率为30-90Khz，切割功率为75%±15%，切割深度1/4-2/3,切割痕宽度为20um-60um；

1.2）压片，将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒；

在晶片P/N两面涂抹IPA保护溶液，在P/N两面盖上裂片保护膜，使用尼龙滚棒沿着半切穿痕将晶圆裂成一颗颗散粒;

1.3）N面揭裂片保护膜；

将菲林版的N面揭开，使晶粒P面整齐排布在菲林版的P面上，并晾干；

1.4）贴蓝膜；

将晶粒N面贴在蓝膜上，揭开P面菲林版，得到成品激光切割蓝膜出货产品。

将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为100mm/s，切割频率为30Khz，切割功率为60%，切割深度为晶圆的1/4,切割痕宽度为60um。

将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为200mm/s，切割频率为60Khz，切割功率为75%，切割深度为晶圆的1/2,切割痕宽度为40um。

将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度为300mm/s，切割频率为90Khz，切割功率为90%，切割深度为晶圆的2/3,切割痕宽度为20um。

步骤1.3）中的晾干时间为10min。

本发明预先采用激光半切穿：将晶圆沿蚀刻道半切穿，切割速度100-300mm/s，切割频率30-90Khz，切割功率75%±15%，切割深度1/4-2/3，切割痕宽度20um-60um。然后将已经半切穿的晶圆沿着切割痕裂成一颗颗散粒。将芯片分离成一颗颗晶粒后贴在蓝膜上。本发明具有提高加工效率和品质、降低应力损伤等特点。

附图说明

图1是步骤1.3时的芯片状态示意图，

图2是步骤1.4时贴蓝膜的状态示意图，

图3是利用本案工艺加工完成后的状态示意图（蓝膜没有损伤），