[发明专利]一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法有效
| 申请号： | 201911305497.7 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112992670B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 钟耕杭;宁永铎;徐继平;边永智;史训达;白雪;赵江伟;陈鲁锋 | 申请（专利权）人： | 山东有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 降低 硅基背封 抛光 应力 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于降低硅基背封抛光片应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制作与硅衬底二氧化硅薄膜尺寸匹配的蓝膜，对蓝膜进行设计，保留边缘区域的完整性，而将中心区域按照一定的图案形状开孔，制成图案蓝膜；所述图案形状为一个大的圆孔或者多个小的圆孔；所述图案形状外缘距离蓝膜边缘的距离为20mm～30mm；
(2)将该蓝膜贴附在背封完成的硅衬底二氧化硅薄膜上，在保证边缘二氧化硅薄膜完整性的同时，采用腐蚀剂将硅衬底中心区域按照图案形状去除部分二氧化硅薄膜；
(3)将腐蚀后的硅衬底用热腐蚀剂去除掉蓝膜，制成图案薄膜。
2.根据权利要求1所述的降低硅基背封抛光片应力的方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，二氧化硅薄膜的去除厚度应控制在
3.根据权利要求1所述的降低硅基背封抛光片应力的方法，其特征在于，所述蓝膜为热感PVC材料。
4.根据权利要求1所述的降低硅基背封抛光片应力的方法，其特征在于，用于腐蚀图案薄膜的腐蚀剂溶液为体积百分比浓度为1％～5％的氢氟酸或质量百分比浓度为15％～25％的氟化铵稀溶液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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