[发明专利]一种半导体用晶圆抛光设备有效

专利信息
申请号: 201911305740.5 申请日: 2019-12-19
公开(公告)号: CN111002205B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 黄卫良;徐梓辰 申请(专利权)人: 山东欧思特新材料科技有限公司
主分类号: B24B29/02 分类号: B24B29/02;B24B41/06;B24B57/02;B24B47/12;B24B41/02
代理公司: 深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙) 44867 代理人: 邓爱军
地址: 253400 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 用晶圆 抛光 设备
【说明书】:

发明公开了一种半导体用晶圆抛光设备,包括底部抛光组件、旋转吸附组件以及注液排液组件,所述旋转吸附组件采用液压杆可移动的设置在抛光底座上,以便调整晶圆的位置高度使得晶圆的下表面与底部抛光组件中的抛光盘相紧贴,所述旋转吸附组件能够在吸附晶圆的同时带动晶圆进行旋转,从而实现对晶圆的单面抛光,所述底部抛光组件能够驱动抛光盘进行与晶圆转动方向相反的转动,所述注液排液组件用于对抛光区域进行注液,并对抛光液进行回收,本发明中在抛光盘上固定有保持器,以便限制晶圆的水平位移,在基座带动晶圆下降至晶圆与抛光盘抵触时,保持器不与挡圈相接触,而保持器随着抛光盘的转动而转动,总体上减少了屑渣的产生,提高了晶圆的品质。

技术领域

本发明涉及晶圆抛光技术领域,具体是一种半导体用晶圆抛光设备。

背景技术

在半导体行业中,将用于制作半导体集成电路的硅晶片称为晶圆,在晶圆加工的过程中,一般包括外围研磨、切片、研磨、蚀刻和抛光等步骤,在对晶圆进行抛光处理时,则需要使用到晶圆抛光仪,抛光仪可以有效的对晶圆的表面进行抛光。

经调查研究发现,目前现有的抛光仪对晶圆进行抛光时,常常出现以下问题:1、保持器与抛光盘接触,在抛光盘进行转动时,抛光盘与保持器产生相对运动,导致保持器产生屑渣,影响晶圆品质,2、抛光液喷在抛光盘上,由于转速的原因容易使得抛光液飞溅,造成污染和浪费。

因此,本领域技术人员提供了一种半导体用晶圆抛光设备,以解决上述背景技术中提出的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体用晶圆抛光设备,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种半导体用晶圆抛光设备,其包括底部抛光组件、旋转吸附组件以及注液排液组件,所述旋转吸附组件采用液压杆可移动的设置在抛光底座上,以便调整晶圆的位置高度使得晶圆的下表面与底部抛光组件中的抛光盘相紧贴,所述旋转吸附组件能够在吸附晶圆的同时带动晶圆进行旋转,从而实现对晶圆的单面抛光,所述底部抛光组件能够驱动抛光盘进行与晶圆转动方向相反的转动,所述注液排液组件用于对抛光区域进行注液,并对抛光液进行回收。

进一步,作为优选,所述旋转吸附组件包括抛光电机一、负压发生器、基座、集成轴以及吸附板,其中,所述抛光电机一固定在移动架上,且其输出端固定有集成轴,所述集成轴伸出所述移动架且与移动架转动相连,所述集成轴的端部固定有基座,所述基座的内部为空腔结构,所述基座远离集成轴的一端嵌入有吸附板,所述吸附板的外圆周上还固定有挡圈,所述集成轴靠近抛光电机一的一端圆周阵列有多个连通孔,所述集成轴的中部同轴开设有连接孔,所述连接孔一端与基座相连通,所述连接孔的另一端与多个连通孔相连通,所述移动架中与多个连通孔相对应位置处开设有包裹槽,所述包裹槽采用连接管二与负压发生器相连接,所述连接管二上设置有电磁阀一,所述负压发生器固定在移动架上。

进一步,作为优选,所述集成轴采用两组密封轴承件与移动架转动相连,其中一组密封轴承件设置在包裹槽的上方,另一组密封轴承件设置在包裹槽的下方。

进一步,作为优选,所述包裹槽还采用连接管三与吸尘装置相连接,所述连接管三上设置有电磁阀二,所述吸尘装置固定在移动架的上方。

进一步,作为优选,所述抛光底座为空腔结构,其顶部向下凹陷形成液槽,所述液槽的上方固定有防护罩。

进一步,作为优选,所述底部抛光组件还包括抛光电机二,所述抛光电机二固定在抛光底座的内部空腔中,所述抛光电机二的输出端固定有转轴,所述转轴采用两组密封轴承件与抛光底座的顶部转动相连,且所述转轴伸出抛光底座的一端固定有转盘,所述转盘的另一端固定有抛光盘。

进一步,作为优选,所述抛光盘上与基座对应位置处固定有保持器,以便限制晶圆的水平位移,所述保持器上圆周阵列有四条贯穿其内外侧的通槽,所述保持器的直径略大于晶圆的直径,在基座带动晶圆下降至晶圆与抛光盘抵触时,所述保持器不与挡圈相接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东欧思特新材料科技有限公司,未经山东欧思特新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911305740.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top