[发明专利]一种低噪自激推挽式变换器

权利要求书

1.一种低噪自激推挽式变换器，包括一电源模块、一输入端、一输出端和一变压器T1，

所述输入端与所述变压器T1的原边线圈连接，所述输出端与所述变压器T1的副边线圈连接，所述电源模块分别与所述输入端、所述输出端连接，

所述输入端包括一电容器C1、一电容器C2、一电阻R1、一辅助线圈、一三极管TR1、一三极管TR2、一双向瞬态抑制二极管D3，

所述电容器C1的两端接入所述电源模块，

所述电阻R1的一端连接所述电源模块，所述电阻R1的另一端连接辅助线圈，

所述电容器C2与所述电阻器R1并联，

所述三极管TR1的集电极、所述三极管TR2的集电极均与所述双向瞬态抑制二极管D3连接，

所述三极管TR1的发射极、所述三极管TR2的发射极均与所述电源模块连接，

所述三极管TR1的基极、所述三极管TR2的基极均与所述辅助线圈连接，

所述双向瞬态抑制二极管D3还与所述原边线圈连接，

所述原边线圈另一端与所述电源模块连接。

2.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述电容器C1、所述三极管TR1的发射极、所述三极管TR2的发射极还保护接零。

3.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述辅助线圈包括反馈绕组Nb1和反馈绕组Nb2，

所述反馈绕组Nb1的一端连接所述三极管TR2的基极，

所述反馈绕组Nb2的一端连接所述三极管TR1的基极，

所述辅助线圈的中心抽头连接至电阻R1。

4.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述原边线圈包原边绕组Np1和原边绕组Np2，

所述原边绕组Np1的一端、所述原边绕组Np2的一端均与所述所述双向瞬态抑制二极管D3连接，

所述原边线圈的中心抽头连接所述电源模块。

5.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述副边线圈包括副边绕组Ns1和副边绕组Ns2，

所述副边绕组Ns1的一端、所述副边绕组Ns2的一端均与输出端连接，

所述副边线圈的中心抽头与电源模块连接。

6.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述输出端包括一二极管D1、一二极管D2以及一电容器C3，

所述二极管D1的一端、所述二极管D2的一端均与副边线圈连接，

所述所述二极管D1的另一端、所述二极管D2的另一端均与所述电源模块连接，

所述电容器C3接入所述电源模块。

7.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述电源模块包括一输入正端、一输入地GND、一第一输出端V01和一第二输出端V02，

所述输入正端分别与电阻R1、原边线圈、电容器C1连接，

所述输入地GND分别与所述三极管TR1的发射极、所述TR2的发射极、电容器C1连接，

所述第一输出端V01、所述第二输出端V02均与输出端连接。

8.根据权利要求1所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述双向瞬态抑制二极管D3的数量变为两个，

两个所述双向瞬态抑制二极管D3的一端分别与所述三极管TR1的集电极、所述三极管TR2的集电极连接，所述两个所述双向瞬态抑制二极管D3的另一端与所述电源模块连接。

9.根据权利要求8所述的低噪自激推挽式变换器，其特征在于：所述两个所述双向瞬态抑制二极管D3的另一端与所述电源模块的所述输入正端连接。