[发明专利]一种低噪自激推挽式变换器在审

专利信息
申请号: 201911306551.X 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN110932564A 公开(公告)日: 2020-03-27
发明(设计)人: 白壮;杜广湘;杜玉甫;江泽鑫;钟柯佳 申请(专利权)人: 广州邦讯信息系统有限公司
主分类号: H02M3/338 分类号: H02M3/338;H02M1/44
代理公司: 北京市京大律师事务所 11321 代理人: 刘玮
地址: 广东省广州市天河区天*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 激推挽式 变换器
【说明书】:

发明涉及一种低噪自激推挽式变换器,包括一电源模块、一输入端、一输出端和一变压器T1,输入端与变压器T1的原边线圈连接,输出端与变压器T1的副边线圈连接,电源模块分别与输入端和输出端连接供电,输入端包括一电容器C1、一电容器C2、一电阻R1、一辅助线圈、一三极管TR1、一三极管TR2、一到两个双向瞬态抑制二极管D3;输出电压的开关噪声明显降低;在原有的罗耶电路上仅作出细微修改,实现难度低,增加双向瞬态抑制二极管的数量,提升了电路的可靠性,在双向瞬态抑制二极管击穿的同时,会将一部分能量回馈给输入滤波电容,更加安全,增加双向瞬态抑制二极管的数量,在一定程度上提高了自激推挽式变换器的传输效率。

技术领域

本发明属于推挽式变换器技术领域,尤其涉及一种低噪自激推挽式变换器。

背景技术

如CN203522544U公开的一种“低噪声自激推挽式变换器”,其在推挽三极管的发射极各自串联一个磁珠FB1和FB2,如图5所示,在低频段,阻抗由电感的感抗构成,低频时,电阻R很小,磁珠导磁率较高,电感量较大,电感L起到主要作用,电磁干扰被反射而受到抑制,并且这时磁珠的损耗较小,整个器件是一个低损耗、高功率因数特性的电感;在高频段,磁珠阻抗由电阻成分构成,随着频率升高,磁珠的导磁率降低,导致电感的电感L减小,感抗成分减小,磁珠的损耗增加,电阻成分增加,导致总的阻抗增加,当高频信号通过磁珠时,电磁干扰被吸收,并转换成热能的形式耗散掉,由此可见,本实施例中通过增加第一磁珠FB1和第二磁珠FB2可以减小NPN型三极管Q1和NPN型三极管Q2的电压应力,减小开关损耗,减低噪声输出,提高变换器工作效率。

但是,这种方法的劣势在于磁珠的合理选择比较困难,另外在一定程度上会降低自激推挽式变换器的效率。

发明内容

针对上述问题,本发明提供,主要解决了现有技术中等问题。

为了解决上述问题,本发明采用如下技术方案:

一种低噪自激推挽式变换器,包括一电源模块、一输入端、一输出端和一变压器T1,

所述输入端与所述变压器T1的原边线圈连接,所述输出端与所述变压器T1的副边线圈连接,所述电源模块分别与所述输入端、所述输出端连接,

所述输入端包括一电容器C1、一电容器C2、一电阻R1、一辅助线圈、一三极管TR1、一三极管TR2、一双向瞬态抑制二极管D3,

所述电容器C1的两端接入所述电源模块,

所述电阻R1的一端连接所述电源模块,所述电阻R1的另一端连接辅助线圈,

所述电容器C2与所述电阻器R1并联,

所述三极管TR1的集电极、所述三极管TR2的集电极均与所述双向瞬态抑制二极管D3连接,所述三极管TR1的发射极、所述三极管TR2的发射极均与所述电源模块连接,所述三极管TR1的基极、所述三极管TR2的基极均与所述辅助线圈连接,

所述双向瞬态抑制二极管D3还与所述原边线圈连接,

所述原边线圈另一端与所述电源模块连接。

一种方式,所述电容器C1、所述三极管TR1的发射极、所述三极管TR2的发射极还保护接零。

一种方式,所述辅助线圈包括反馈绕组Nb1和反馈绕组Nb2,

所述反馈绕组Nb1的一端连接所述三极管TR2的基极,

所述反馈绕组Nb2的一端连接所述三极管TR1的基极,

所述辅助线圈的中心抽头连接至电阻R1。

一种方式,所述原边线圈包原边绕组Np1和原边绕组Np2,

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