[发明专利]粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法

权利要求书

1.一种粘接薄膜，其中，损耗角正切在-20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。

2.根据权利要求1所述的粘接薄膜，其中，所述第2峰顶的值为2以上。

3.根据权利要求1或2所述的粘接薄膜，其中，含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的粘接薄膜，其中，含有环氧树脂和/或酚醛树脂。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的粘接薄膜，其中，含有玻璃化转变温度为-40～10℃的丙烯酸类树脂。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的粘接薄膜，其具有40～150μm的厚度。

7.权利要求1～6中任一项所述的粘接薄膜在粘接剂层形成用途中的应用，其中，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板的第1半导体芯片与连接于该第1半导体芯片的接合引线的全部或一部分一起包埋、并且将第2半导体芯片接合于所述安装基板。

8.权利要求1～6中任一项所述的粘接薄膜在粘接剂层形成用途中的应用，其中，所述粘接剂层将引线接合安装于安装基板的第1半导体芯片的接合引线连接部位覆盖而将该接合引线的一部分包埋、并且将第2半导体芯片接合于所述第1半导体芯片。

9.权利要求1～6中任一项所述的粘接薄膜在粘接剂层形成用途中的应用，其中，所述粘接剂层将倒装芯片安装于安装基板的第1半导体芯片包埋、并且将第2半导体芯片接合于所述安装基板。

10.一种带切割带的粘接薄膜，其具备：

切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；及

权利要求1～9中任一项所述的粘接薄膜，其以能剥离的方式密合于所述切割带中的所述粘合剂层。

11.一种半导体装置制造方法，其包括：

第1工序，在权利要求10所述的带切割带的粘接薄膜中的所述粘接薄膜上贴合能单片化为多个半导体芯片的半导体晶圆或包含多个半导体芯片的半导体晶圆分割体；及

第2工序，对所述带切割带的粘接薄膜中的所述切割带进行扩展，由此将所述粘接薄膜割断而得到带粘接薄膜的半导体芯片。