[发明专利]粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法

说明书

提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中产生良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。对于本发明的粘接薄膜(10)，其损耗角正切在‑20～20℃的范围具有第1峰顶、并且在20～60℃的范围具有第2峰顶。第2峰顶的值优选为2以上。另外，粘接薄膜(10)优选含有软化温度为70℃以上的热固化性树脂，优选含有玻璃化转变温度为‑40～10℃的丙烯酸类树脂。粘接薄膜(10)的厚度例如为40～150μm。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造过程中可以使用的粘接薄膜及带有切割带的粘接薄膜、以及半导体装置制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，在得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有粘接薄膜的半导体芯片时，有时使用带有切割带的粘接薄膜。带有切割带的粘接薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸的圆盘形状，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和以可剥离的方式密合于其粘合剂层侧的粘接薄膜。

作为使用带有切割带的粘接薄膜得到带有粘接薄膜的半导体芯片的方法之一，已知经由用于对带有切割带的粘接薄膜中的切割带进行扩展而将粘接薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在带有切割带的粘接薄膜的粘接薄膜上贴合作为工件的半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与粘接薄膜的割断同时被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的粘接薄膜产生分别密合于半导体芯片的多个粘接薄膜小片的方式将该粘接薄膜割断，对带有切割带的粘接薄膜的切割带进行扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在粘接薄膜上的与半导体晶圆中的粘接薄膜割断位置相对应的位置也发生割断，半导体晶圆在带有切割带的粘接薄膜和/或切割带上单片化为多个半导体芯片。接着，在经由清洗工序等工序后，各半导体芯片与和其密合的尺寸与芯片相当的粘接薄膜一同从切割带的下侧被拾取机构的销构件顶起，然后从切割带上拾取。这样，得到带有粘接薄膜的半导体芯片。该带有粘接薄膜的半导体芯片借助其粘接薄膜通过芯片接合固着在安装基板等被粘物上。对于例如以上那样使用的带有切割带的粘接薄膜及其中所含的粘接薄膜相关的技术，记载于例如下述的专利文献1～3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

专利文献3：日本特开2012-23161号公报

发明内容

发明要解决的问题

对于成为如上所述的割断用扩展工序中使用的带有切割带的粘接薄膜的一构成要素的粘接薄膜，要求在该扩展工序中在预定割断位置适当地被割断从而单片化为连同半导体芯片一起的粘接薄膜小片。另外，粘接薄膜的厚度越大，越有变得难以产生这样的割断的倾向。对于以往的粘接薄膜，在其厚度比较大的情况下，有时在扩展工序中在预定割断位置的一部分不会发生割断，另外，有时在该工序中在预定割断位置以外的位置产生断裂(割断裂纹)。

本发明是基于以上的情况而想出的，其目的在于，提供适于在为了得到带有粘接薄膜的半导体芯片而使用带有切割带的粘接薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断的粘接薄膜、带有切割带的粘接薄膜、及半导体装置制造方法。

用于解决问题的方案