[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有至少一个浅槽隔离结构；

在所述衬底的输入/输出N型有源区进行P阱离子注入；

在所述衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层；

根据所述多晶硅层制备得到至少一个栅极；

在所述输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入，在所述衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入，所述NLDD离子注入的离子包括砷离子和磷离子，所述NLDD离子注入和所述PLDD离子注入使用同一层光刻版；

在所述栅极的周侧生长隔离侧壁；

在所述N型有源区和所述P型有源区进行SD注入后，进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入，在所述衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入，包括：

在所述输入/输出N型有源区进行低压NLDD注入所述砷离子和所述磷离子；

在所述低压P型有源区进行低压PLDD注入硼离子。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入，在所述衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入，包括：

在所述输入/输出N型有源区进行低压NLDD注入所述砷离子和所述磷离子；

在所述低压P型有源区进行低压PLDD注入氟化硼离子。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述多晶硅层制备得到至少一个栅极，包括：

通过光刻胶遮挡所述多晶硅层上所述栅极所在区域；

对所述多晶硅层上除所述栅极所在区域以外的其它区域进行刻蚀，形成栅极；

对所述栅极的表面进行氧化处理。

5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的低压P型有源区进行P阱离子注入，包括：

定义所述衬底上的所述输入/输出N型有源区和所述低压P型有源区；

通过光刻胶对所述衬底上除所述低压P型有源区的其它区域进行遮挡；

在所述低压P型有源区进行高能硼离子注入；

清除所述光刻胶。

6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极的周侧生长隔离侧壁，包括：

在所述栅氧化层和所述栅极表面沉积氮化硅；

通过刻蚀工艺对所述栅氧化层表面的氮化硅和所述栅极上方的氮化硅进行去除处理，保留所述栅极周侧的氮化硅，形成所述隔离侧壁。

7.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底的低压P型有源区进行P阱离子注入之前，还包括：

在所述衬底上沉积氮化硅层；

通过刻蚀工艺对所述浅槽隔离结构所在区域的氮化硅层和衬底进行刻蚀处理，形成浅槽隔离结构的凹槽；

在所述氮化硅层和所述凹槽上沉积氧化硅层；

通过CMP工艺去除所述氮化硅层上的氧化硅层，保留所述凹槽上的氧化硅层形成所述浅槽隔离结构；

通过湿刻蚀工艺去除所述氮化硅层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上制备氮化硅层，包括：

对所述衬底进行氧化，形成氧化硅层；

在所述氧化硅层上沉积所述氮化硅层。

9.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层包括高压栅氧化层和低压栅氧化层；

所述在所述衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层，包括：

在所述输入/输出N型有源区生长所述高压栅氧化层；

在所述低压P型有源区生长所述低压栅氧化层；

在所述高压栅氧化层和所述低压栅氧化层上生长所述多晶硅层。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

衬底，所述衬底形成有至少一个浅槽隔离结构，低压PMOS器件和输入/输出NMOS器件；

所述衬底上依次包括栅氧化层以及至少一个栅极，所述栅极的周侧形成有隔离侧壁，所述栅极是由生长在所述栅氧化层上的多晶硅层制备而成；

其中，所述低压PMOS器件是在所述衬底的低压P型有源区进行P阱离子注入后，进行PLDD离子注入得到的，所述输入/输出NMOS器件是在所述衬底的输入/输入N型有源区进行NLDD离子注入得到的，所述NLDD离子注入的离子包括砷离子和磷离子。