[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件在审

申请号：	201911307976.2	申请日：	2019-12-18
公开（公告）号：	CN111128700A	公开（公告）日：	2020-05-08
发明（设计）人：	熊伟;陈华伦;钱文生;胡君	申请（专利权）人：	华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/265	分类号：	H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	黎伟
地址：	214028 江***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件制备方法
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【说明书】：

本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，所述方法包括：提供一衬底，该衬底上形成有至少一个浅槽隔离结构；在衬底的输入/输出N型有源区进行P阱离子注入；在衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层；根据多晶硅层制备得到至少一个栅极；在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入，在衬底的低压P型有源区进行PLDD离子注入，NLDD离子注入的离子包括砷离子和磷离子；在栅极的周侧生长隔离侧壁；分别在N型有源区和P型有源区进行SD离子注入后，进行退火处理。本申请通过在输入/输出N型有源区进行NLDD离子注入时注入的离子为砷离子和磷离子，从而制备得到的半导体器件具有较小的衬底电流，进而提高了半导体器件的HCI可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件

背景技术

电子器件工程联合委员会(Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC)标准中热电子注入效应(Hot Carrier Injection，HCI)可靠性是一项重要的器件可靠性要求。

相关技术中，核心(Core)器件以及输入输出(Input/Output，I/O)器件通常由轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain，LDD)注入来连接漏极(Drain)和沟道(Channel)，同时实现优化靠近漏极的沟道电场分布，以实现HCI可靠性要求。

发明内容

本申请实施例提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，可以解决相关技术中提供的半导体器件的衬底电流较大导致HCI可靠性较差的问题。

一方面，本申请提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有至少一个浅槽隔离结构；

在所述衬底的输入/输出N型有源区进行P阱离子注入；

在所述衬底上依次生长栅氧化层以及多晶硅层；

根据所述多晶硅层制备得到至少一个栅极；