[发明专利]显示背板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201911307985.1 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111048527B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 黎飞;曹惠敏;魏悦;邹富伟;邓伟;潘康观;邓雷;张震 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 背板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提出了显示背板及其制作方法、显示装置。该显示背板包括:衬底,该衬底上限定有膜上芯片区;栅极,设置在衬底的一侧;绝缘层,设置在栅极远离衬底的一侧,且在膜上芯片区内具有第一开口;第一数据线,覆盖绝缘层,且通过第一开口与栅极接触;钝化层,覆盖第一数据线;第二数据线,设置在钝化层远离衬底的一侧且具有第二开口,并且,第一开口在衬底上的正投影落入第二开口在衬底上的正投影之内。本发明所提出的显示背板,其膜上芯片区的第一开孔处中的第二数据线可以被刻蚀出第二开口,从而避免第一开孔的斜坡处在后续阳极湿刻之后容易产生暗点,进而提升双源漏电极结构的显示背板的制作良品率。
技术领域
本发明涉及显示制作技术领域,具体的,本发明涉及显示背板及其制作方法、显示装置。
背景技术
为了改善有机发光二极管(OLED)屏幕的亮度不均问题,大尺寸、高频的有源矩阵有机发光二极体(AMOLED屏幕)可以设计成双层源漏电极(SD)的工艺结构。由于双SD结构中,参考图2,膜上芯片(COF)区的第一数据线(SD1)400与栅极(Gate)200连接的小孔302比较深且坡度角也较大,当溅镀(sputter)形成第二数据线(SD2)600时,最上面钛(Ti)亚层在小孔的两侧斜坡处容易出现缺失,从而导致铝(Al)亚层裸露在外面。在后续的阳极(Anode)湿刻工艺时,Al与阳极湿刻药液容易反应生成银点(Ag partical),从而导致显示暗点等的不良缺陷。
发明内容
本发明是基于发明人的下列发现而完成的:
本发明的发明人针对双SD结构COF区的小孔位置容易出现暗点的问题,通过对小孔区域结构的优化设计,将COF区小孔位置附近的第二数据线刻蚀掉,从而有效地降低暗点的风险。此外,还可以用有机膜层包覆住刻蚀后的第二数据线侧边,从而彻底地防止阳极刻蚀液与第二数据线中的Al反应生成银点的风险。
在本发明的第一方面,本发明提出了一种显示背板。
根据本发明的实施例,所述显示背板包括:衬底,所述衬底上限定有膜上芯片区;栅极,所述栅极设置在所述衬底的一侧;绝缘层,所述绝缘层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧,且在所述膜上芯片区内具有第一开口;第一数据线,所述第一数据线覆盖所述绝缘层,且通过所述第一开口与所述栅极接触;钝化层,所述钝化层覆盖所述第一数据线;第二数据线,所述第二数据线设置在所述钝化层远离所述衬底的一侧,且具有第二开口,并且,所述第一开口在所述衬底上的正投影落入所述第二开口在所述衬底上的正投影之内。
本发明实施例的显示背板,其膜上芯片区的第一开孔处中的第二数据线可以被刻蚀出第二开口,从而避免第一开孔的斜坡处在后续阳极湿刻之后容易产生暗点,进而提升双源漏电极结构的显示背板的制作良品率。
另外,根据本发明上述实施例的显示背板,还可以具有如下附加的技术特征:
根据本发明的实施例,所述第二数据线包括层叠设置的第一亚层、第二亚层和第三亚层,其中,形成所述第一亚层和所述第三亚层的材料包括钛,形成所述第二亚层的材料包括铝。
根据本发明的实施例,所述第一开口的深度为1~3微米,且所述第一开口的坡度角为65°~75°。
根据本发明的实施例,所述显示背板进一步包括:第一有机层,所述第一有机层设置在所述第二开口中且与所述第二数据线接触,并且环绕所述第一开口设置。
根据本发明的实施例,所述第一有机层的厚度与所述第二数据线的厚度相同。
根据本发明的实施例,所述钝化层具有第三开口,且所述第二数据线通过所述第三开口与所述第一数据线接触,并且,所述第三开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影不重叠。
在本发明的第二方面,本发明提出了一种制作显示背板的方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的