[发明专利]存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备

权利要求书

1.一种导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，包括步骤：

S11、在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

S12、对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

S13、根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

S14、根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

2.根据权利要求1中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述测量所述待测GIS回路的回路电阻包括：

采用直流法或冲击电流法测量所述待测GIS回路的回路电阻。

3.根据权利要求2中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述升温试验包括：

通过使用额定交流电流或低于额定值的交流电流对所述待测GIS回路进行升温。

4.根据权利要求3中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述阻值变化曲线包括：回路电阻随温度而变化的曲线、回路电阻随时间而变化的曲线，或，回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线；

当阻值变化曲线为回路电阻随时间而变化的曲线时，所述升温试验的多个阶段为根据升温时间将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段；

当阻值变化曲线为回路电阻随温度而变化的曲线时，所述升温试验的多个阶段为根据所述待测GIS回路的温度值将升温试验的升温过程化分出的多个升温阶段。

5.根据权利要求4中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，当阻值变化曲线为回路电阻随温度和时间的结合而变化的曲线时：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段为根据所述待测GIS回路的温度值化分获得，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段为根据升温时间化分获得。

6.根据权利要求4或5中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果，包括：

当所述阻值变化曲线中回路电阻没有明显波动，则可初步认为所述待测GIS回路接触状态良好；

当所述阻值变化曲线中回路电阻出现明显波动，则可判定为所述待测GIS回路接触状态不良；

当所述阻值变化曲线中回路电阻出现明显波动且波动呈现不断增强的趋势，则可判定所述待测GIS回路为接触状态严重不良。

7.根据权利要求6中所述导电回路电接触状态评测方法，其特征在于，所述明显波动包括：

在所述阻值变化曲线中前部预设个数的升温阶段中回路电阻的波动幅度超过预设值，或，在所述阻值变化曲线的后部预设个数的升温阶段中出现了回路电阻突然增大。

8.一种导电回路电接触状态评测装置，其特征在于，包括：

初始阻值获取单元，用于在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

升温阻值获取单元，用于对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

变化曲线生成单元，用于根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

评测结果生成单元，用于根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

9.一种存储器，其特征在于，包括软件程序，所述软件程序适于由处理器执行如权利要求1至4中任一所述导电回路电接触状态评测方法的步骤。

10.一种导电回路电接触状态评测设备，其特征在于，包括总线、处理器和如权利要求9中所述存储器；

所述总线用于连接所述存储器和所述处理器；

所述处理器用于执行所述存储器中的指令集。