[发明专利]存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备

说明书

本发明公开了存储器、导电回路电接触状态评测方法、装置和设备，其中所述方法包括：在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；对待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量待测GIS回路的回路电阻，以获得不同温度下的回路电阻；根据待测GIS回路在不同温度下的回路电阻生成阻值变化曲线；根据阻值变化曲线的特性生成电接触状态评测结果，能够发现更多的接触状态隐患，从而有效的提高了导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。

技术领域

本发明涉及电气工程领域，特别涉及存储器、导电回路电接触状态评测方法、设备和装置。

背景技术

气体绝缘金属封闭开关设备(Gas Insulated Switchgear,GIS)具有占地面积小、故障概率低、安全性能高、环境影响小、便于安装维护等优点，可以大幅提高供电可靠性。GIS会因其设备制造的材料、不同厂家的装配工艺、设备运输以及安装等方面出现的问题，造成电接触内部不可避免地存在各种缺陷，随着运行年限的增加，缺陷会逐渐发展严重，进而有可能引发内部故障。

实际运行中的GIS长期受温度和振动等因素的影响，接触状况在慢慢地发生改变，随着GIS投入运行时间的增加，GIS主回路接触问题日益凸显。回路电阻一直以来都是控制设备质量和反映GIS电接触状态的重要技术指标，通过实际测量来确定导电回路电阻值是否在标准规定的范围内，以检查电气设备安装质量和回路完整性，及早发现因制造不良或运行中因振动而产生的机械松动等原因造成的接触不良等缺陷，从而保证GIS系统长期载流和短路时通过极限电流的性能。

现有技术中通常在GIS设备退出运行、空载条件下，测量导电回路的回路电阻，通过电阻值与规定的正常值相比升高的幅度来判断导电回路电接触状态是否良好。

发明人经过研究发现，现有技术中导电回路电接触状态的评测方式至少存在以下缺陷：

实际运行中的GIS和离线检修时的GIS状态是有很大区别的，实际运行中的GIS触头处于一个温度较高，还有振动等持续因素的环境中，接触状态很有可能发生变化，而现有技术中评测的是空载时的状况，并不能很好地反映投入运行后可能的状态变化；也就是说，现有技术中的导电回路电接触状态评测方式所获得结果不够准确。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于发现现有技术无法检测到的接触状态隐患，从而提高导电回路电接触状态评测的准确性和有效性。

本发明提供了一种导电回路电接触状态评测方法，包括步骤：

S11、在环境温度下测量待测GIS回路的回路电阻；

S12、对所述待测GIS回路进行包括有多个阶段的升温试验，并在每完成一个阶段升温试验后测量所述待测GIS回路的回路电阻，以获得所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻；

S13、根据所述待测GIS回路在不同温度下的回路电阻，生成回路电阻的阻值变化曲线；

S14、根据所述阻值变化曲线的特性生成所述待测GIS回路的电接触状态评测结果。

优选的，在本发明实施例中，所述测量所述待测GIS回路的回路电阻包括：

采用直流法或冲击电流法测量所述待测GIS回路的回路电阻。

优选的，在本发明实施例中，所述升温试验包括：

通过使用额定交流电流或低于额定值的交流电流对所述待测GIS回路进行升温。