[发明专利]用于存储器装置的种子操作

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

多个数据线；

共同源极；和

控制逻辑，其被配置成通过以下操作来实施种子操作：对所述多个数据线中的每一个加偏压到第一电压电平且对所述共同源极加偏压到低于所述第一电压电平的第二电压电平，且通过对每一数据线加偏压到所述第一电压电平，使每一数据线浮动并且对所述共同源极加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一数据线和所述共同源极之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其另外包括：

多个漏极选择线；和

多个存储器单元块，每一存储器单元块耦合到所述多个数据线和所述共同源极，且每一存储器单元块耦合到漏极选择线，

其中通过使每一数据线浮动，所述控制逻辑被配置成对每一取消选择的存储器单元块的所述漏极选择线加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一取消选择的存储器单元块的每一数据线和所述漏极选择线之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其另外包括：

多个漏极选择线；和

多个存储器单元块，每一存储器单元块耦合到所述多个数据线和所述共同源极，且每一存储器单元块耦合到漏极选择线，

其中在所述种子操作期间，所述控制逻辑被配置成对所选择的存储器单元块的所述漏极选择线加偏压到预定电压电平。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其另外包括：

多个漏极选择线；和

多个存储器单元块，每一存储器单元块耦合到所述多个数据线和所述共同源极，且每一存储器单元块耦合到漏极选择线，

其中在所述种子操作期间，所述控制逻辑被配置成对所选择的存储器单元块的所述漏极选择线加偏压到所述第二电压电平以在所述选择的存储器单元块中产生栅致漏极泄漏GIDL。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述控制逻辑通过使每一数据线的所述偏压升高到高于所述第一电压电平来实施禁止操作。

6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述多个数据线包括偶数数据线和奇数数据线。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置包括三维NAND存储器装置。

8.一种存储器装置，其包括：

多个存储器单元块；

多个数据线，其耦合到每一存储器单元块；

共同源极，其耦合到每一存储器单元块；和

控制逻辑，其被配置成通过以下操作来实施种子操作：对所述多个数据线中的每一个加偏压到第一电压电平且对所述共同源极加偏压到低于所述第一电压电平的第二电压电平，且通过对每一数据线加偏压到所述第一电压电平，使每一数据线浮动并且对所述共同源极加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一数据线和所述共同源极之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其另外包括：

多个漏极选择线，每一漏极选择线耦合到存储器单元块，

其中通过使每一数据线浮动，所述控制逻辑被配置成对每一取消选择的存储器单元块的所述漏极选择线加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一取消选择的存储器单元块的每一数据线和所述漏极选择线之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其另外包括：

多个漏极选择线，每一漏极选择线耦合到存储器单元块，

其中在所述种子操作期间，所述控制逻辑被配置成对所选择的存储器单元块的所述漏极选择线加偏压到预定电压电平。