[发明专利]用于存储器装置的种子操作

说明书

本申请案涉及用于存储器装置的种子操作。本发明提供一种存储器装置，其包含多个数据线、共同源极和控制逻辑。所述控制逻辑被配置成通过以下操作来实施种子操作：对所述多个数据线中的每一个加偏压到第一电压电平且对所述共同源极加偏压到低于所述第一电压电平的第二电压电平。通过对每一数据线加偏压到所述第一电压电平，所述控制逻辑被配置成使每一数据线浮动并且对所述共同源极加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一数据线和所述共同源极之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

技术领域

本公开大体上涉及存储器，且具体来说，在一或多个实施例中，本公开涉及用于存储器装置中的种子操作的设备和方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路元件。存在许多不同类型的存储器，包括随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)和快闪存储器。

快闪存储器装置已发展成用于多种多样的电子应用的广受欢迎的非易失性存储器来源。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管存储器单元。通过对电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷阱)的编程或其它物理现象(例如，相变或极化)引起存储器单元的阈值电压的改变，所述改变确定每一单元的数据值。快闪存储器的常见用法包含个人计算机、平板计算机、数码相机、数字媒体播放器、蜂窝式电话、固态驱动器和可拆卸存储器模块，且这类用法不断增长。

可在快闪存储器装置中使用禁止操作来防止在写入操作期间对某些存储器单元编程。可在快闪存储器装置中使用种子操作改进用于禁止操作的升压电压。随着用以为快闪存储器装置供电的供电电压(例如，VCC)减小，种子操作的效率也可减小。

出于上文陈述的原因，并且出于下文所陈述的所属领域的技术人员在阅读并且理解本说明书之后明白的其它原因，在所属领域中需要用于实施种子操作的替代性方法，以及执行这类方法的系统和设备。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种存储器装置，其包括：多个数据线；共同源极；和控制逻辑，其被配置成通过以下操作来实施种子操作：对所述多个数据线中的每一个加偏压到第一电压电平且对所述共同源极加偏压到低于所述第一电压电平的第二电压电平，且通过对每一数据线加偏压到所述第一电压电平，使每一数据线浮动并且对所述共同源极加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一数据线和所述共同源极之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

在另一方面中，本申请案提供一种存储器装置，其包括：多个存储器单元块；多个数据线，其耦合到每一存储器单元块；共同源极，其耦合到每一存储器单元块；和控制逻辑，其被配置成通过以下操作来实施种子操作：对所述多个数据线中的每一个加偏压到第一电压电平且对所述共同源极加偏压到低于所述第一电压电平的第二电压电平，且通过对每一数据线加偏压到所述第一电压电平，使每一数据线浮动并且对所述共同源极加偏压到所述第一电压电平，使得每一数据线的所述偏压归因于每一数据线和所述共同源极之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

在又一方面中，本申请案提供一种用于实施存储器装置中的种子操作的方法，所述方法包括：对所述存储器装置的数据线加偏压到第一电压电平并且对共同源极加偏压低于所述第一电压电平的第二电压电平；通过以所述第一电压电平对所述数据线加偏压，使所述数据线浮动；和通过使所述数据线浮动，对所述共同源极加偏压到所述第一电压电平，使得所述数据线的所述偏压归因于所述数据线和所述共同源极之间的电容耦合而升高到高于所述第一电压电平。

附图说明

图1是作为电子系统的部分与处理器通信的存储器装置的一个实施例的简化框图。

图2A-2D是可在参考图1描述的类型的存储器装置中使用的存储器单元阵列的部分的示意图。