[发明专利]半导体元件和其裂缝检测方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一第一导电层；

一第二导电层，位于该第一导电层上方；

一隔离层，位于该第一导电层与该第二导电层之间；

一晶体管，电气耦合到该第一导电层；以及

一第一电压源、一第二电压源和一信号检测器；其中，该第一电压源以电气分别耦合到该信号检测器与晶体管的一漏极；该信号检测器电气耦合到该晶体管的一源极；以及该第二电压源电气耦合到该晶体管的一栅极；

其中，该第一导电层、该第二导电层、该隔离层和该晶体管一起形成一裂缝检测结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一导电层和该第二导电层至少部分地重叠。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一导电层电气耦合到该晶体管的一漏极。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其中，该第一导电层电气耦合到该晶体管的一栅极。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第一导电层电气耦合到该晶体管的一漏极。

6.如权利要求2所述的半导体元件，其中，该第一导电层电气耦合到该晶体管的一栅极。

7.一种半导体元件，包括：

一基部；

一绝缘层，位于该基部上方，其中，该绝缘层具有两端部；

一第一掺杂区域，形成于该基部中并位于该绝缘层的该两端部的一者；

一第二掺杂区域，形成于该基部中并位于该绝缘层的该两端部的另一者，其中，该第二掺杂区域与该第一掺杂区域相对；

一控制结构，位于该绝缘层上方；

一第一导电层，位于该控制结构上方并电气耦合到该第一掺杂区域；

一第二导电层，位于该第一导电层上方；

一隔离层，位于该第一导电层与该第二导电层之间；以及

一第一电压源、一第二电压源和一信号检测器；其中，该第一电压源以电气分别耦合到该信号检测器与该第二导电层；该信号检测器电气耦合到一第二掺杂区域；以及该第二电压源电气耦合到该控制结构。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，该第一导电层和该第二导电层至少部分地重叠。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中，该控制结构包括一掺杂层和一金属层，该掺杂层位于该绝缘层上，并且该金属层位于该掺杂层上。

10.如权利要求8所述的半导体元件，其中，该控制结构包括一掺杂层和一金属层，该掺杂层位于该绝缘层上，并且该金属层位于该掺杂层上。

11.一种半导体元件，包括：

一基部；

一绝缘层，位于该基部上方，其中，该绝缘层具有两端部；

一第一掺杂区域，形成于该基部中，并位于该绝缘层的该两端部的一者；

一第二掺杂区域，形成于该基部中，并位于该绝缘层的该两端的另一者，其中，该第二掺杂区域与该第一掺杂区域相对；

一控制结构，位于该绝缘层上方；

一第一导电层，位于该控制结构上方，并电气耦合到该控制结构；

一第二导电层，位于该第一导电层上方；

一隔离层，位于该第一导电层与该第二导电层之间；以及

一第一电压源、一第二电压源和一信号检测器；其中，该第一电压源以电气分别耦合到该信号检测器与一第一掺杂区域；该信号检测器电气耦合到一第二掺杂区域；以及该第二电压源电气耦合到该第二导电层。

12.如权利要求11所述的半导体元件，其中，该第一导电层和该第二导电层至少部分地重叠。

13.如权利要求11所述的半导体元件，其中，该控制结构包括一掺杂层和一金属层，该掺杂层位于该绝缘层上，并且该金属层位于该掺杂层上。