[发明专利]半导体元件和其裂缝检测方法

说明书

本申请公开一种半导体元件和其裂缝检测方法。该半导体元件，包括：一第一导电层；一第二导电层，位于该第一导电层上方；一隔离层，位于该第一导电层和该第二导电层之间；以及一晶体管，耦合到该第一导电层。该第一导电层、该第二导电层、该隔离层以及该晶体管一起形成一裂缝检测结构。

技术领域

本申请主张2019/05/15申请的美国正式申请案第16/412,983号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。

本申请公开一种半导体元件，特而言的，本申请公开一种半导体元件，其具有检测裂缝的结构。本申请还公开一种方法，其可在一半导体元件中检测一裂缝。

背景技术

半导体元件已使用于各种电子应用，例如：一部个人计算机、一支手机、一台数码相机以及其他电子设备。在生产和(或)操作该半导体元件期间，一裂缝可能发生或延伸于该半导体元件中。因此，在改进品质、产量以及可靠性方面仍存在挑战。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明本申请公开的标的，不构成本申请公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本申请的任一部分。

发明内容

本申请公开一种半导体元件，包括：一第一导电层；一第二导电层，位于该第一导电层上方；一隔离层，位于该第一导电层和该第二导电层之间；以及一晶体管，耦合到该第一导电层。该第一导电层、该第二导电层、该隔离层以及该晶体管一起形成一裂缝检测结构。

本申请另公开一种半导体元件，包括：一基部；一绝缘层，位于该基部上方，并具有两个端部；一第一掺杂区域，在该基部中形成，并且位于该绝缘层末端；一第二掺杂区域，在该基部中形成，并且位于该绝缘层的另一端，并与该第一掺杂区域相对；一控制结构，位于该绝缘层上方；一第一导电层，位于该控制结构上方，并且耦合到该第一掺杂区域；一第二导电层，位于该第一导电层上方；以及一隔离层，位于该第一导电层和该第二导电层之间。

本申请另公开一种半导体元件，包括：一基部；一绝缘层，位于该基部上方，并且具有两个端部；一第一掺杂区域，在该基部中形成，并且位于该绝缘层两端的一端；一第二掺杂区域，在该基部中形成，且位于该绝缘层两端的另一端，并与该第一掺杂区域相对；一控制结构，位于该绝缘层上方；一第一导电层，位于该控制结构上方，并且耦合到该控制结构；一第二导电层，位于该第一导电层上方；以及一隔离层，位于该第一导电层和该第二导电层之间。

本申请另公开一种裂缝检测方法，包括：提供一半导体元件；耦合一测试电路与一控制电路到该半导体元件；将该测试电路的一预定电压和该控制电路的一栅极电压，施加到该半导体元件；以及从该测试电路测量一信号。该半导体元件包括：一第一导电层；一第二导电层，位于该第一导电层上方；一隔离层，位于该第一导电层与该第二导电层之间；以及一晶体管，耦合到该第一导电层。该第一导电层、该第二导电层、该隔离层以及该晶体管一起形成一裂缝检测结构。

由于该半导体元件的设计，可以检测一裂缝电气，因此可以改善制造该半导体元件的效率。此外，该电气裂缝检测能力应用于该半导体元件，也可用于检测难以通过目视检查检测的潜在损伤。

上文已相当广泛地概述本申请的技术特征及优点，从而使下文的本申请详细描述得以获得较佳了解。构成本申请的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本申请所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本申请相同的目的。本申请所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本申请的精神和范围。面已经相当广泛地概述了本申请公开的特征和技术优点，以便可以更好地理解随后的本申请公开的详细描述。以下将描述本申请公开的附加特征和优点，并形成本申请公开的权利要求的主题。本领域技术人员应该理解，所公开的概念和具体实施例可以容易地用作修改或设计用于实现本申请公开的相同目的的其他结构或过程的基础。本领域技术人员还应该认识到，这种等同构造不脱离所附权利要求中阐述的本申请公开的精神和范围。