[发明专利]芯片制备方法以及晶圆级封装芯片

权利要求书

1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括：

提供封装晶圆，其中，所述封装晶圆包括晶圆和设置于所述晶圆正面的玻璃盖板；

在所述封装晶圆上形成切割道，以将所述封装晶圆划分为多个芯片区；

沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，以切割形成多粒芯片；从晶圆侧沿切割道切割剩余的晶圆以及玻璃盖板；

在所述封装晶圆上形成切割道，包括：

在所述晶圆背面涂覆一层光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光以及显影，保留位于切割区的所述光刻胶，形成所述切割道；

所述切割区形成有贯穿所述晶圆的切割槽，所述切割槽内填充有柔性绝缘材料。

2.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3；

沿所述切割道，从玻璃盖板侧对所述玻璃盖板进行至少一次切割，至切割形成多粒芯片。

3.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3；

沿所述切割道，从玻璃盖板侧对所述玻璃盖板进行至少一次切割，至切割深度小于或等于所述玻璃盖板厚度的1/2；

从晶圆侧沿切割道切割剩余的所述晶圆以及所述玻璃盖板。

4.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3；

沿所述切割道，从玻璃盖板侧对所述玻璃盖板进行至少一次切割，至切割处剩余所述玻璃盖板的厚度大于或等于100微米；

从晶圆侧沿切割道切割剩余的所述晶圆以及所述玻璃盖板。

5.根据权利要求2-4任一项所述的芯片制备方法，其特征在于，沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度等于所述晶圆的厚度。

6.根据权利要求1所述的芯片制备方法，其特征在于，在从晶圆侧对所述封装晶圆进行切割之前，还包括：在所述玻璃盖板的正面贴合第一支撑层；

和/或，在从玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割之前，还包括：在所述晶圆的背面贴合第二支撑层。

7.根据权利要求6所述的芯片制备方法，其特征在于，所述第一支撑层为胶带，和/或所述第二支撑层为胶带。

8.一种晶圆级封装芯片，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的芯片制备方法制备。