[发明专利]芯片制备方法以及晶圆级封装芯片

说明书

本发明实施例公开了一种芯片制备方法以及晶圆级封装芯片，该芯片制备方法包括：提供封装晶圆，其中，封装晶圆包括晶圆和设置于晶圆正面的玻璃盖板；在封装晶圆上形成切割道，以将封装晶圆划分为多个芯片区；沿切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对封装晶圆进行切割，且对晶圆进行至少两次切割，并对玻璃盖板进行至少一次切割，以切割形成多粒芯片。本发明实施例提供的技术方案增加了经过切割得到单粒芯片的良率，提高了单粒芯片电学性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种芯片制备方法以及晶圆级封装芯片。

背景技术

目前，晶圆级芯片尺寸封装是集成电路封装方式中的一种，它是一种先将整片晶片进行封装得到封装晶圆，再将其切割，得到单粒芯片的封装方法。

由于在切割的过程中，封装晶圆与切割的刀片之间的阻力过大，导致与切割的刀片接触的封装晶圆的表面存在不平整的情况，从而使得经过切割得到单粒芯片的良率不高，存在单粒芯片电学性能不能达到预期效果的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种芯片制备方法以及晶圆级封装芯片，解决了现有技术中目前经过切割得到单粒芯片的良率不高，导致单粒芯片电学性能不能达到预期效果的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种芯片制备方法，包括：

提供封装晶圆，其中，所述封装晶圆包括晶圆和设置于所述晶圆正面的玻璃盖板；

在所述封装晶圆上形成切割道，以将所述封装晶圆划分为多个芯片区；

沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，以切割形成多粒芯片。

可选地，在所述封装晶圆上形成切割道，包括：

在所述晶圆背面涂覆一层光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光以及显影，保留位于切割区的所述光刻胶，形成所述切割道。

可选地，所述切割区形成有贯穿所述晶圆的切割槽，所述切割槽内填充有柔性绝缘材料。

可选地，沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3；

沿所述切割道，从玻璃盖板侧对所述玻璃盖板进行至少一次切割，至切割形成多粒芯片。

可选地，沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3；

沿所述切割道，从玻璃盖板侧对所述玻璃盖板进行至少一次切割，至切割深度小于或等于所述玻璃盖板厚度的1/2；

从晶圆侧沿切割道切割剩余的所述晶圆以及所述玻璃盖板。

可选地，沿所述切割道，分别从晶圆侧和玻璃盖板侧对所述封装晶圆进行切割，且对所述晶圆进行至少两次切割，并对所述玻璃盖板进行至少一次切割，包括：

沿所述切割道，从晶圆侧对所述晶圆进行一次切割，至切割深度大于或等于所述晶圆厚度的2/3；

沿所述切割道，从玻璃盖板侧对所述玻璃盖板进行至少一次切割，至切割处剩余所述玻璃盖板的厚度大于或等于100微米；

从晶圆侧沿切割道切割剩余的所述晶圆以及所述玻璃盖板。