[发明专利]TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

柔性衬底；

阻挡层，形成于所述柔性衬底上；

缓冲层，形成于所述阻挡层上；

有源层，形成于所述缓冲层上；

第一栅极绝缘层，形成于所述缓冲层上并覆盖所述有源层；

栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；

第二栅极绝缘层，形成于所述第一栅极绝缘层上并覆盖所述栅极；

第一层间绝缘层，形成于所述第二栅极绝缘层上；

第二层间绝缘层，形成于所述第一层间绝缘层上；

源漏极，形成于所述第二层间绝缘层上；

平坦化层，形成于所述第二层间绝缘层上并覆盖所述源漏极；

阳极，形成于所述平坦化层上；

像素定义层，形成于所述平坦化层上且覆盖所述阳极的两端；

像素支撑层，形成于所述像素定义层上；

其中，所述源漏极包括上层源漏极以及下层源漏极，所述上层源漏极具有镂空结构，所述镂空结构与所述下层源漏极的上表面构成镂空区域，所述第二层间绝缘层填充所述镂空区域。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述上层源漏极为金属钛或者钛/铝/钛堆叠结构，所述下层源漏极为重掺杂的非晶硅或重掺杂的多晶硅。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述有源层边缘两端为重掺杂的非晶硅或重掺杂的多晶硅，所述下层源漏极的掺杂离子种类与所述有源层边缘两端的掺杂离子种类相同，且所述下层源漏极的掺杂离子浓度大于所述有源层边缘两端的掺杂离子浓度。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层上设置有第一过孔，所述第一过孔贯穿所述第一层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第一栅极绝缘层，所述第一过孔暴露出所述有源层边缘两端。

5.如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述下层源漏极通过所述第一过孔与所述有源层的边缘两端相连。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述镂空结构内具有多个通孔，每一所述通孔内填充所述第二层间绝缘层。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述平坦化层上设置有第二过孔，所述阳极通过所述第二过孔与所述上层源漏极相连。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层的材质为硅氧化物、氮硅化物中的至少一种，所述第二层间绝缘层的材质为有机光阻。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一层间绝缘层上具有第三过孔，所述第三过孔贯穿所述第一层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层以及所述缓冲层，所述第三过孔暴露出所述阻挡层。

10.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述柔性衬底为双层聚酰亚胺膜，所述阻挡层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层以及所述第二栅极绝缘层的材质为硅氧化物、氮硅化物中的至少一种。