[发明专利]TFT阵列基板

说明书

本申请公开了一种TFT阵列基板，包括：柔性衬底、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源漏极、平坦化层、阳极、像素定义层以及像素支撑层；其中，所述源漏极包括上层源漏极以及下层源漏极，所述上层源漏极具有镂空结构，所述镂空结构与所述下层源漏极的上表面构成镂空区域，所述第二层间绝缘层填充所述镂空区域。本申请实施例所提供的TFT阵列基板，将源漏极设计成中间镂空的双层结构，使得下层源漏极与有源层的接触界面为半导体‑半导体接触，减小了有源层与源漏极之间的接触电阻，进一步提升了TFT阵列基板的电学性能。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板。

背景技术

AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)为电流控制发光，电流强弱直接影响光的强弱。AMOLED对薄膜晶体管电性要求更加精密。目前，AMOLED的显示面板中通常包括多个像素单元，每个像素单元中均设置有薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。该薄膜晶体管是控制对应像素单元显示亮度的基本电路元件。该薄膜晶体管可以包括：有源层、栅极绝缘层、栅级和源漏极等，有源层为源级和漏极提供导电通道。

目前，现有技术的有源层通常由铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)、非晶硅(Amorphous silicone，a-Si)或多晶硅(polycrystalline silicon，P-Si)等半导体材料制成，而源漏极通常由金属或金属合金制成。有源层与源漏极接触为金属-半导体接触，电阻较大，半导体层和金属接触界面存在强烈的费米能级钉扎效应，使得金属与半导体之间的接触势垒很高，接触电阻很大，导致薄膜晶体管的电学性能很差。

综上所述，现有的TFT阵列基板，有源层与源漏极之间的接触界面为金属-半导体接触，接触电阻很大，导致薄膜晶体管的电学性能很差，进一步影响显示面板的显示效果。

发明内容

本申请实施例提供TFT阵列基板，能够减小有源层与源漏极之间的接触电阻，以解决现有的TFT阵列基板，有源层与源漏极之间的接触界面为金属-半导体接触，接触电阻很大，导致薄膜晶体管的电学性能很差，进一步影响显示面板的显示效果的技术问题。

本申请实施例提供一种TFT阵列基板，包括：柔性衬底、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源漏极、平坦化层、阳极、像素定义层以及像素支撑层；

其中，所述阻挡层形成于所述柔性衬底上，所述缓冲层形成于所述阻挡层上，所述有源层形成于所述缓冲层上，所述第一栅极绝缘层形成于所述缓冲层上并覆盖所述有源层，所述栅极形成于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层上并覆盖所述栅极，所述第一层间绝缘层形成于所述第二栅极绝缘层上，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层上，所述源漏极形成于所述第二层间绝缘层上，所述平坦化层形成于所述第二层间绝缘层上并覆盖所述源漏极，所述阳极形成于所述平坦化层上，所述像素定义层形成于所述平坦化层上且覆盖所述阳极的两端，所述像素支撑层形成于所述像素定义层上；

所述源漏极包括上层源漏极以及下层源漏极，所述上层源漏极具有镂空结构，所述镂空结构与所述下层源漏极的上表面构成镂空区域，所述第二层间绝缘层填充所述镂空区域。

在一些实施例中，所述上层源漏极为金属钛或者钛/铝/钛堆叠结构，所述下层源漏极为重掺杂的非晶硅或重掺杂的多晶硅。

在一些实施例中，所述有源层边缘两端为重掺杂的非晶硅或重掺杂的多晶硅，所述下层源漏极的掺杂离子种类与所述有源层边缘两端的掺杂离子种类相同，且所述下层源漏极的掺杂离子浓度大于所述有源层边缘两端的掺杂离子浓度。