[发明专利]一种超薄铝箔制备方法及超薄铝箔

权利要求书

1.一种超薄铝箔制备方法，其特征在于：包括步骤如下：

S1、根据生产要求准备长度对应的透明PVC薄膜卷材，作为镀膜的基材；

S2、PVC薄膜进入涂胶槽内，对PVC薄膜的一侧面进行均匀涂布易分解的有机胶水；

S3、涂胶完成后的PVC薄膜进行烘干、固化，使得胶水在PVC薄膜的一侧面形成胶层，其后将PVC薄膜复绕在真空镀膜设备的放卷滚筒上，完成基材装料；

S4、启动真空镀膜设备对PVC薄膜进行放卷，对PVC薄膜的胶层表面进行镀铝膜，通过控制电流和卷绕速度，保证胶层表面上物理沉积的铝膜厚度为0.004mm；

S5、将步骤S4中镀膜完成后的卷材放入高温烘箱内进行分解胶层，胶层分解后将铝膜和PVC薄膜进行单独复绕收卷；

S6、将收卷完成的铝膜进行低温时效退火处理，得到符合强度和韧性要求的铝膜半成品，并进行复绕收卷，其中，退火炉内低温时效处理的加热温度为350±20℃，低温时效处理的时间≥48h，所得铝膜半成品的强度≥1Mpa；

S7、对步骤S6中得到的铝膜半成品进行双面等离子清洗，得到厚度为0.004mm的超薄铝箔。

2.根据权利要求1所述的一种超薄铝箔制备方法，其特征在于：所述步骤S1中准备的PVC薄膜厚度为0.2~0.5mm。

3.根据权利要求1所述的一种超薄铝箔制备方法，其特征在于：所述步骤S3中启动温度为60~70℃的烘箱对步骤S2中所得的PVC薄膜进行高温烘干，使得PVC薄膜侧面的胶水充分固化形成厚度为20±2μm的胶层。

4.根据权利要求1所述的一种超薄铝箔制备方法，其特征在于：所述步骤S4中，利用磁控溅射、蒸发或多弧离子镀的其中一种方法进行镀膜，镀膜靶材采用合金铝靶或合金铝丝，电流控制在6±0.1A，卷绕速度控制在0.5~0.6m/min。

5.根据权利要求1所述的一种超薄铝箔制备方法，其特征在于：所述步骤S5中，高温烘箱内加热温度为100~110℃，并持续保温至胶层完全分解。

6.根据权利要求1所述的一种超薄铝箔制备方法，其特征在于：所述步骤S7中，完成低温时效处理后的铝膜半成品的卷材进行放卷进入等离子清洗工位，等离子清洗工位包括两个上下对称设置的等离子清洗头，铝膜半成品放卷经两个等离子清洗头之间经过进行双面清洗，其后收卷得到厚度为0.004mm的超薄铝箔。

7.一种超薄铝箔，其特征在于：使用权利要求1~6任意一项所述的一种超薄铝箔制备方法制备所得，所述超薄铝箔的厚度为0.004mm，且所述超薄铝箔的表面具有凹凸结构。

8.根据权利要求7所述的一种超薄铝箔，其特征在于：所述超薄铝箔厚度为0.004±0.0005mm。